类型：Flash Memory
　　容量：4Mbit
　　组织方式：512K x 8
　　工作电压：2.7V - 3.6V
　　访问时间：100ns
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：56
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　读取电流：最大10mA
　　待机电流：最大100μA
　　编程/擦除电压：内部电荷泵提供

M28F411-100N5具有多项显著特性。其高速访问时间为100ns，使得它适用于需要快速数据存取的应用场景。芯片内部集成了电荷泵，允许使用单一电源进行编程和擦除操作，简化了系统设计并降低了功耗。此外，M28F411-100N5支持页编程和块擦除功能，使得数据存储和管理更加灵活高效。
　　该芯片还具备高可靠性，支持至少10万次编程/擦除周期，并且数据保留时间超过10年。M28F411-100N5支持多种保护机制，包括硬件写保护和软件数据保护，确保关键数据不会被意外修改或擦除。其低功耗设计使其在待机模式下电流消耗极低，非常适合电池供电设备使用。
　　该芯片的TSOP封装形式不仅节省空间，还提高了抗干扰能力，确保在复杂电磁环境中稳定运行。M28F411-100N5广泛应用于工业控制、通信设备、消费电子产品以及嵌入式系统等领域。

M28F411-100N5广泛应用于多种需要非易失性存储的场景，如工业控制系统中的固件存储、通信设备中的配置数据保存、消费电子产品中的程序存储、嵌入式系统中的启动代码存储等。此外，它也可用于汽车电子、医疗设备、智能卡终端以及数据采集系统中，提供可靠的存储解决方案。

M28F411-100N5的替代型号包括M28F411-120N5（访问时间120ns版本）、M28F401、M29F401等。其他可选替代品包括来自其他厂商的兼容型号，如Intel TE28F416、AMD AM29LV411等。在选择替代型号时，需根据具体应用场景验证电气特性和封装兼容性。