类型：EEPROM
　　存储容量：1K位（128 x 8）
　　电压范围：2.5V至5.5V
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　封装类型：8引脚DIP或SOIC
　　接口类型：I2C总线
　　写入周期（典型值）：4ms
　　读取周期（典型值）：1ms
　　最大时钟频率：400kHz
　　数据保持时间：超过40年

M26123DR芯片具备多种优良特性，使其在各类电子设备中表现出色。首先，其低电压操作范围（2.5V至5.5V）使其适用于多种电源环境，提高了设计的灵活性。此外，该芯片支持I2C总线接口，简化了与微控制器或其他主控设备的连接，降低了电路设计的复杂度。
　　M26123DR的存储单元具有高达1百万次擦写周期的耐久性，确保了长期使用的可靠性。其数据保持时间超过40年，即使在断电情况下也能稳定保存数据。该芯片还具备高速读写能力，写入周期仅为4ms，读取周期为1ms，能够满足实时数据存储需求。
　　此外，M26123DR采用了CMOS技术，功耗极低，尤其适合电池供电设备。其封装形式包括8引脚DIP和SOIC，适用于不同的PCB布局需求。该芯片还具备多种保护机制，如写保护引脚和硬件写保护功能，有效防止误操作和数据损坏。

M26123DR广泛应用于各种需要非易失性存储器的系统中，例如工业自动化控制系统中的参数配置存储、智能仪表的数据记录、消费类电子产品中的设备校准信息存储等。此外，它也常用于通信设备中的网络配置存储、医疗设备中的患者数据记录以及汽车电子系统中的诊断信息保存等场景。
　　在智能家居系统中，M26123DR可用于存储设备的个性化设置和运行日志；在POS终端设备中，它可以用于保存交易记录和安全密钥；在传感器节点中，该芯片可用于缓存采集到的数据，以便后续处理和传输。由于其高可靠性和低功耗特性，M26123DR也适用于长时间运行且维护困难的嵌入式系统。

M24C01DR, 24C01, AT24C01