H27UBG8T2MYR是东芝(Toshiba)公司生产的一款NAND闪存芯片。该芯片主要用于大容量数据存储应用,例如固态硬盘(SSD)、嵌入式存储设备以及工业级存储解决方案。这款芯片属于东芝的e-MMC(嵌入式多媒体控制器)系列,支持高速数据读写操作,并且具备较高的可靠性和耐用性。H27UBG8T2MYR是一款8GB容量的e-MMC 5.1版本存储芯片,采用BGA封装形式,适合嵌入式系统的集成。
制造商:东芝(Toshiba)
产品类型:e-MMC NAND闪存
容量:8GB
接口类型:e-MMC 5.1
封装类型:BGA
工作温度范围:-25°C至+85°C
电压范围:2.7V至3.6V
最大读取速度:约260MB/s
最大写入速度:约190MB/s
耐用性:支持约3000次编程/擦除周期
存储器架构:MLC NAND
H27UBG8T2MYR作为一款e-MMC 5.1接口的嵌入式存储芯片,具有多项技术特性和优势。首先,它采用了e-MMC标准接口,这种接口将NAND闪存和控制器集成在一个封装中,简化了主控芯片的设计负担,提高了系统的稳定性。其次,该芯片支持高速数据传输,最大读取速度可达260MB/s,写入速度可达190MB/s,满足了嵌入式系统对存储性能的需求。此外,H27UBG8T2MYR具有较宽的工作温度范围(-25°C至+85°C),适合工业级和车载应用环境。该芯片采用MLC NAND架构,相比SLC NAND具有更高的存储密度和成本效益,同时具备较高的耐用性,支持约3000次编程/擦除周期。在可靠性方面,芯片内置错误校正码(ECC)功能,能够自动检测和纠正数据错误,保障数据完整性。此外,该芯片还支持多种安全特性,包括写保护、安全擦除和密码保护功能,确保用户数据的安全性。
H27UBG8T2MYR主要应用于需要大容量、高可靠性和嵌入式存储的设备。例如,它广泛用于工业计算机、车载信息娱乐系统、医疗设备、智能家电、物联网(IoT)设备以及手持终端设备。由于其支持宽温工作范围和较强的耐用性,特别适合在恶劣环境下的工业控制系统和车载系统中使用。此外,该芯片也适用于需要嵌入式存储方案的消费类电子产品,如平板电脑、智能电视和智能机顶盒等。
H27UCG8T0MYR、H27UCG8T0M+、H27UBG8T2B