型号：M25P80-VMN6TPBA
　　制造商：STMicroelectronics
　　存储容量：8 Mbit (1048576 字节)
　　架构：串行闪存 (SPI)
　　接口类型：SPI 三线制/四线制
　　工作电压：2.7 V 至 3.6 V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：8-Pin SO-N
　　时钟频率：最高支持 75 MHz（快速读取模式）
　　编程电压：内部电荷泵生成
　　写保护功能：软件及硬件写保护（通过WP引脚）
　　擦除方式：扇区擦除（64 KB）、子扇区擦除（8 KB）和整片擦除
　　编程时间：典型值为 0.7 ms/页（编程一页为 256 字节）
　　耐久性：每个扇区可承受至少 100,000 次擦写循环
　　数据保持时间：超过 20 年
　　待机电流：典型值 1 μA（掉电模式）
　　工作电流：读取时典型值 8 mA，编程/擦除时典型值 15 mA

M25P80-VMN6TPBA具备多项关键特性，使其在嵌入式系统中表现出色。首先，它支持高速SPI接口，在标准模式下支持Mode 0和Mode 3操作，并可在快速读取指令下实现高达75 MHz的时钟频率，从而显著提升数据传输效率。这对于需要频繁读取启动代码或固件的应用尤为重要，如路由器、机顶盒或工业控制器。该器件采用统一的扇区结构，包含15个可独立擦除的扇区，其中前14个为64 KB大小，最后一个为32 KB，灵活适应不同数据存储需求。同时支持更细粒度的8 KB子扇区擦除，便于局部更新而不影响其他数据区域。
　　其次，M25P80集成了强大的写保护机制，包括软件保护和硬件写保护。通过状态寄存器可设置不同的保护级别，防止意外写入或擦除操作。WP引脚允许外部电路对状态寄存器或部分存储区域实施硬件锁定，增强系统鲁棒性。此外，芯片内置上电复位（Power-on Reset）电路，确保每次上电后处于已知的安全状态，避免误操作导致的数据损坏。
　　再者，该器件具备优异的可靠性和耐久性。每个存储单元可经受至少10万次的编程/擦除周期，数据保存时间超过20年，适合长期运行的工业与汽车应用场景。低功耗设计也是一大亮点，支持多种节能模式，包括待机模式和深度掉电模式（Deep Power-down），后者可将电流消耗降至1 μA以下，适用于电池供电或绿色节能设备。所有操作均符合工业级温度规范（-40°C至+85°C），保证在恶劣环境下稳定工作。最后，该芯片采用环保的SO-N封装，符合RoHS标准，便于自动化贴片生产，降低制造成本。

M25P80-VMN6TPBA广泛应用于需要可靠非易失性存储的各种电子系统中。在嵌入式系统领域，常被用作微控制器的外部程序存储器，用于存放Bootloader、操作系统镜像或应用程序代码。例如，在网络设备如路由器、交换机中，该芯片用于存储固件和配置文件，支持远程升级且具备断电保护能力。在消费类电子产品中，如数字电视、机顶盒、智能家电等，可用于保存用户设置、校准参数或图形资源。
　　在工业控制方面，M25P80-VMN6TPBA因其宽温特性和高可靠性，被用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）设备以及传感器模块中，记录运行日志、设备配置或校准数据。汽车电子中，尽管该器件未标定为AEC-Q100车规级，但仍可用于部分车载信息娱乐系统或辅助模块中，存储音频数据、界面资源或诊断信息。
　　此外，该芯片也适用于医疗设备、测试仪器和通信模块等对数据完整性要求较高的场合。其SPI接口占用引脚少，有助于简化PCB布局并节省空间，特别适合高密度小型化设计。结合其低成本和成熟工艺，M25P80-VMN6TPBA成为众多设计师在中低端串行闪存选型中的优选方案。

M25P80-VMP6G
　　EN25F80
　　W25Q80BV
　　SST25VF512A
　　MX25L8005