型号：M25P80-VMN6PBA
　　制造商：STMicroelectronics
　　存储容量：8 Mbit (1024 Kbyte)
　　组织结构：每页256字节，共4096页；每扇区64 KB，共16个扇区；每个扇区可进一步划分为16个子扇区（每个4 KB）
　　接口类型：SPI（串行外设接口），支持Mode 0和Mode 3
　　工作电压：2.7 V 至 3.6 V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：8-Pin SO-N (150 mil)
　　时钟频率：最高支持75 MHz（快速读取模式）
　　编程/擦除耐久性：100,000次循环
　　数据保持时间：20年（在+85°C环境下）
　　写保护功能：支持软件和硬件写保护（通过W#引脚或状态寄存器）
　　特殊功能：支持上电自动识别（Power-on Read Identification）、深度掉电模式（Deep Power-down Mode）、状态寄存器锁定等

M25P80-VMN6PBA具备多项先进特性，使其在嵌入式存储应用中表现出色。首先，其高速SPI接口支持最高75 MHz的时钟频率，允许快速读取数据，显著提升系统性能。在读取操作中，支持标准SPI指令集，包括快速读取、双输出读取（Dual Output Read）以及连续读取模式，有效提高数据吞吐率。其次，该芯片提供灵活的擦除选项，用户可以选择按扇区（64 KB）、子扇区（4 KB）或整片擦除，满足不同应用场景对存储管理的需求，尤其适合需要频繁更新小块数据的系统。
　　另一个关键特性是其低功耗设计。M25P80支持多种节能模式：在待机模式下电流消耗极低，典型值仅为1 μA；在深度掉电模式下，电流可进一步降低至1 nA级别，非常适合电池供电或便携式设备。此外，芯片内部集成电压检测电路，在电源不稳定时自动进入写保护状态，防止数据损坏。
　　该器件还具备高可靠性与数据安全性。支持通过状态寄存器配置写保护区域，防止误写或误擦除。同时，提供软件和硬件双重写保护机制：软件通过指令控制，硬件通过W#引脚电平实现。芯片支持上电自动ID读取功能，便于系统初始化时识别存储器型号。所有编程和擦除操作均由片内定时器控制，无需外部干预，提高了操作的可靠性和一致性。
　　M25P80采用高质量的工艺制造，具备出色的抗干扰能力和温度稳定性，可在工业级温度范围内稳定运行。其封装符合RoHS标准，适用于环保型电子产品生产。整体而言，这些特性使M25P80-VMN6PBA成为工业控制、网络设备、消费电子和汽车电子等领域理想的串行闪存解决方案。

M25P80-VMN6PBA广泛应用于多种需要可靠非易失性存储的电子系统中。在工业自动化领域，常用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）和传感器模块中，用于存储固件、校准数据和运行日志。在网络通信设备中，如路由器、交换机和光模块，该芯片用于存放启动代码（Boot Code）、配置参数和设备标识信息，确保设备在重启后能快速加载必要程序。
　　在消费类电子产品中，M25P80被广泛应用于数字电视、机顶盒、智能家居控制器和数码相机等设备，用于存储操作系统映像、用户设置和应用程序代码。其小封装和低功耗特性特别适合空间受限和电池供电的产品设计。
　　汽车电子也是其重要应用领域之一，可用于车载信息娱乐系统（IVI）、仪表盘显示模块和远程信息处理单元（Telematics），存储地图数据、音频文件和车辆配置信息。由于其工作温度范围宽，能够适应车内高温或低温环境，具备良好的环境适应性。
　　此外，在医疗设备、测试仪器和物联网（IoT）终端中，M25P80-VMN6PBA也发挥着重要作用，用于记录测量数据、设备状态和安全认证信息。其高耐久性和长期数据保持能力确保了关键信息的可靠存储。总体来看，该芯片凭借其稳定性、灵活性和性价比，已成为众多嵌入式系统中不可或缺的存储组件。

M25P80-VMN6PB
　　M25P80VMN6P
　　SST25VF080B-30-3C-S2AF
　　W25Q80JVSSIG
　　EN25F80