时间：2025/12/26 18:20:44
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IRFP90N20D是一款由Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的高功率、高电压P沟道功率MOSFET晶体管，广泛应用于开关电源、电机控制、逆变器以及其他需要高效能功率转换的电子系统中。该器件采用TO-247封装，具备优良的热性能和机械稳定性，适用于高电流与高电压工作环境。IRFP90N20D的设计优化了导通电阻与栅极电荷之间的平衡，使其在高频开关应用中表现出较低的导通损耗和开关损耗，从而提高整体系统效率。
该MOSFET的额定漏源电压（VDS）为-200V，连续漏极电流（ID）可达-90A，在高温环境下仍能保持稳定的电气性能。其内部集成有快速恢复体二极管，有助于在感性负载切换过程中提供反向电流路径，减少电压尖峰并提升系统可靠性。此外，该器件符合RoHS环保标准，适合现代绿色电子产品设计需求。由于其出色的电气特性和坚固的封装结构，IRFP90N20D常被用于工业电源、太阳能逆变器、UPS不间断电源以及电动工具驱动电路等高要求应用场景中。
型号：IRFP90N20D
类型：P沟道MOSFET
封装：TO-247
最大漏源电压（VDS）：-200 V
最大栅源电压（VGS）：±30 V
连续漏极电流（ID）：-90 A
脉冲漏极电流（IDM）：-360 A
功耗（PD）：500 W
导通电阻（RDS(on)）：≤ 0.11 Ω @ VGS = -10 V
阈值电压（VGS(th)）：-4.0 至 -6.0 V
工作结温范围（TJ）：-55 至 +175 °C
输入电容（Ciss）：5500 pF
输出电容（Coss）：1100 pF
反向恢复时间（trr）：55 ns
IRFP90N20D具备优异的功率处理能力，其-200V的漏源击穿电压使其适用于中高压直流电源系统，如工业级AC/DC和DC/DC转换器。该器件的低导通电阻（RDS(on) ≤ 0.11Ω）显著降低了在大电流条件下的导通损耗，提升了能源转换效率，尤其在持续高负载运行时表现突出。由于采用先进的沟道MOSFET制造工艺，该晶体管具有良好的跨导特性与稳定的阈值电压控制，确保在不同温度和负载条件下均能实现可靠的开关动作。
该MOSFET支持高达-90A的连续漏极电流和-360A的脉冲电流能力，使其能够应对瞬态过载或启动冲击电流，适用于电机驱动和电焊机等对动态响应要求较高的场景。其高达500W的功率耗散能力结合TO-247封装的优良散热性能，可在未配备强制风冷的情况下维持稳定工作，降低系统复杂度与成本。此外，器件的输入电容和输出电容经过优化设计，减少了高频开关过程中的能量损耗，提高了PWM控制系统的响应速度与稳定性。
IRFP90N20D内置的快速恢复体二极管具有较短的反向恢复时间（trr = 55ns），有效抑制了因感性负载断开引起的电压振荡和电磁干扰（EMI），增强了整个电路的鲁棒性。该特性在桥式拓扑结构（如H桥或半桥）中尤为重要，可避免上下桥臂直通风险，延长系统寿命。同时，该器件具备良好的抗雪崩能力和抗静电放电（ESD）性能，能够在异常工况下提供一定级别的自我保护。综合来看，IRFP90N20D是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，特别适合用于高功率密度和高效率要求的应用场合。
IRFP90N20D广泛应用于多种高功率电子系统中。在开关电源（SMPS）领域，它常用于有源功率因数校正（PFC）电路和主开关拓扑中，特别是在离线式电源设计中作为主控开关器件，以实现高效的电能转换。在逆变器系统中，例如太阳能光伏逆变器和UPS不间断电源，该MOSFET可用于DC到AC的转换环节，利用其高电压耐受能力和快速开关特性来生成高质量的交流输出波形。
在电机控制系统中，尤其是直流无刷电机（BLDC）和步进电机驱动器中，IRFP90N20D可用于H桥或半桥配置中作为功率开关元件，实现精确的速度与方向控制。其高电流承载能力和快速响应特性使其适用于电动车辆辅助系统、工业自动化设备以及大型家用电器（如空调压缩机驱动）。
此外，该器件还常见于焊接设备、电镀电源、激光驱动电源等工业电源装置中，承担大电流斩波和稳压功能。由于其具备良好的热稳定性和长期运行可靠性，也适用于户外或恶劣环境下的电力电子设备。在测试仪器和实验室电源中，IRFP90N20D可作为可编程负载或线性调整元件的核心部件，提供稳定可控的功率消耗。总之，凡涉及高压、大电流、高效率开关操作的电子系统，IRFP90N20D均是一个理想的选择。
IRFP9240
SPW90N20C3
STP90PF20
IXTP90P20
