型号：M25P16VMN6TP
　　制造商：STMicroelectronics
　　存储容量：16 Mbit (2 MB)
　　接口类型：SPI (Serial Peripheral Interface)
　　工作电压：2.7V 至 3.6V
　　最大时钟频率：75 MHz
　　封装类型：8-SO (Small Outline)
　　存储结构：32个64-KB扇区，每个扇区含16个4-KB子扇区
　　编程时间（典型）：0.7 ms / page
　　擦除时间（扇区）：1.2 s (max)
　　耐久性：100,000次编程/擦除周期
　　数据保持时间：20年（典型）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　休眠电流：< 1 μA
　　工作电流：约 15 mA（读取模式）

M25P16VMN6TP具备多项关键特性，使其在众多串行闪存产品中脱颖而出。首先，它支持标准SPI和双输出SPI（Dual Output SPI）模式，允许用户在高速数据传输与引脚资源之间进行权衡。其支持的最高时钟频率可达75 MHz，在快速读取模式下能实现接近于并行闪存的性能表现，显著提升了系统响应速度。芯片内置的状态寄存器提供了对写使能、写保护、忙状态等关键操作的精细控制，用户可通过读取状态寄存器实时监控器件操作进度。此外，该器件支持四种不同的写保护配置方式，包括通过WP#引脚硬件锁定和通过状态寄存器位进行软件保护，有效防止意外写入或擦除操作，提升系统安全性。
　　M25P16VMN6TP还具备良好的环境适应性和长期可靠性。其工作温度范围覆盖工业级标准（-40°C 至 +85°C），可在严苛环境下稳定运行，适用于工业自动化、车载电子等应用场景。芯片内部集成上电复位（Power-on Reset）电路，确保在电源建立过程中自动进入安全状态，避免因电压不稳定导致的数据损坏。同时，器件支持按页编程（256字节/页）和按扇区/块擦除操作，支持最小粒度为4 KB的子扇区擦除，便于实现固件更新、日志记录等精细化存储管理功能。所有擦除和编程操作均由片内定时器自动控制，简化了外部控制器的设计负担。
　　在制造工艺方面，M25P16VMN6TP采用先进的浮栅CMOS技术，保证了高耐久性和长数据保持能力。其擦写寿命可达10万次以上，数据可保存长达20年，满足大多数嵌入式系统的长期运行需求。此外，该芯片符合RoHS环保标准，采用无铅封装，适合现代绿色电子产品设计。其小型SO-8封装不仅节省PCB空间，还具备良好的热稳定性和机械强度，便于自动化贴装生产。整体而言，M25P16VMN6TP是一款兼顾性能、可靠性和成本效益的成熟串行闪存解决方案。

M25P16VMN6TP广泛应用于多种需要非易失性代码或数据存储的嵌入式系统中。在消费类电子产品领域，常用于数字电视、机顶盒、路由器和智能家电中，用于存储启动代码（Bootloader）、操作系统映像、配置参数和用户设置信息。由于其支持快速读取和SPI接口易于集成的特点，非常适合用作微控制器（MCU）或FPGA的外置程序存储器，实现XIP（eXecute In Place）直接执行代码，从而减少系统对内部Flash的需求。
　　在工业控制领域，该芯片被广泛用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）、传感器模块和远程I/O设备中，用于保存校准数据、设备参数、运行日志和固件备份。其工业级温度范围和高抗干扰能力确保在复杂电磁环境和宽温条件下仍能可靠运行。此外，在汽车电子中，M25P16VMN6TP可用于车身控制模块、仪表盘、车载信息娱乐系统和ADAS辅助驾驶系统的外围存储单元，存储配置文件、语音提示数据或地图缓存信息。
　　在网络通信设备中，如交换机、路由器和光模块，该芯片常用于存储固件镜像、MAC地址、设备序列号和调试日志。其支持子扇区擦除的特性使得固件可以分段更新，提高了升级过程的安全性和灵活性。此外，在便携式医疗设备、测试仪器和智能家居网关中，也常见该芯片的身影，承担关键数据的持久化存储任务。总体来看，M25P16VMN6TP凭借其稳定性、兼容性和小尺寸，已成为众多中低端嵌入式系统中的主流串行Flash选择之一。

W25Q16JVSSIQ
　　EN25Q16-100HIP
　　SST25VF016B-50-4C-S2AF