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RM150DZ-M 发布时间 时间:2025/9/29 12:32:25 查看 阅读:5

RM150DZ-M是一款由Renesas Electronics(瑞萨电子)生产的N沟道功率MOSFET,广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及各类开关电源系统中。该器件采用高性能的沟槽式场效应晶体管技术,优化了导通电阻与栅极电荷之间的平衡,从而在高效率和快速开关性能之间实现了良好的折衷。RM150DZ-M特别适用于需要低导通损耗和高电流处理能力的应用场景。其封装形式为SOP-8(表面贴装),具备良好的热性能和紧凑的尺寸,适合高密度PCB布局设计。该MOSFET工作温度范围宽,通常支持从-55°C到+150°C的结温范围,确保在严苛环境下的稳定运行。此外,该器件符合RoHS环保标准,并具备高抗噪能力和优良的雪崩耐受能力,提升了系统的可靠性。

参数

型号:RM150DZ-M
  类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):30V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):100A
  脉冲漏极电流(Idm):400A
  导通电阻(Rds(on)):1.8mΩ(典型值,Vgs=10V)
  导通电阻(Rds(on)):2.3mΩ(最大值,Vgs=10V)
  栅极阈值电压(Vth):1.0V ~ 2.0V
  输入电容(Ciss):6000pF(典型值,Vds=15V)
  输出电容(Coss):1500pF(典型值,Vds=15V)
  反向恢复时间(trr):25ns(典型值)
  工作结温范围:-55°C ~ +150°C
  封装类型:SOP-8 Power Package
  安装类型:表面贴装(SMD)

特性

RM150DZ-M采用先进的沟槽型MOSFET结构,显著降低了导通电阻Rds(on),从而减少了在大电流应用中的功率损耗,提高了整体能效。该器件在Vgs=10V时的典型Rds(on)仅为1.8mΩ,即使在高负载条件下也能保持较低的温升,有助于提升系统可靠性并减少散热设计复杂度。
  其高电流承载能力(连续漏极电流可达100A)使其非常适合用于大功率DC-DC转换器、同步整流电路以及电机控制模块等对电流需求较高的应用场景。同时,较低的栅极电荷(Qg)和米勒电荷(Qgd)使得该MOSFET能够实现快速开关,降低开关损耗,提高电源转换效率,尤其适用于高频开关电源设计。
  RM150DZ-M具备优良的热稳定性,其SOP-8 Power Package封装具有较低的热阻(Rth(j-c)),可有效将芯片热量传导至PCB,增强散热能力。这种封装还支持自动回流焊工艺,适合大规模自动化生产,提升了制造效率和一致性。
  该器件具备较强的抗雪崩能力,能够在瞬态过压或感性负载切换过程中承受一定的能量冲击,增强了系统的鲁棒性。此外,其栅氧化层经过严格工艺控制,具备良好的长期可靠性,避免因栅极击穿导致的早期失效。
  RM150DZ-M还具备良好的抗噪声干扰能力,栅极阈值电压分布集中且稳定,减少了误触发的风险,适用于电磁环境复杂的工业和汽车电子系统。综合来看,该MOSFET在性能、可靠性和封装集成度方面均表现出色,是现代高效电源系统中的理想选择。

应用

RM150DZ-M广泛应用于多种高效率、高功率密度的电力电子系统中。常见用途包括但不限于:大电流DC-DC降压变换器,用于服务器、通信设备及高性能计算平台的VRM(电压调节模块)中,作为上下桥臂开关元件;在同步整流拓扑中,用于替代传统二极管以降低导通损耗,提升转换效率;在电机驱动电路中,作为H桥或半桥结构中的主开关器件,适用于电动工具、无人机电调和小型电动车控制系统。
  此外,该器件也适用于电池管理系统(BMS)、LED驱动电源、笔记本电脑适配器、工业电源模块以及各类消费类电子产品中的电源转换部分。由于其具备良好的热性能和高可靠性,RM150DZ-M也可用于车载电子系统,如车载信息娱乐系统电源、辅助电源单元等非主驱应用场景。
  在分布式电源架构中,RM150DZ-M常被用于POL(Point-of-Load)电源设计,因其低Rds(on)和高开关速度可满足多相供电需求,支持动态负载响应。同时,其表面贴装封装便于实现自动化生产,适用于大批量制造场景。对于需要高效率、小体积和高可靠性的现代电源设计而言,RM150DZ-M是一个极具竞争力的解决方案。

替代型号

RJK03B9DPK
  SiSS110DN-T1-E3
  CSD17579Q5B
  FDPF18N30T

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