型号：M25P10-AVMN6TPYA
　　制造商：STMicroelectronics
　　存储容量：1 Mbit（128 KB）
　　组织结构：128 K × 8 位
　　接口类型：SPI（串行外设接口）
　　时钟频率：最高支持 75 MHz
　　工作电压：2.7 V 至 3.6 V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：8-Pin SO-NF（Small Outline Narrow Footprint）
　　编程电压：内部电荷泵提供
　　读取模式：标准 SPI 模式（单 I/O）
　　写保护功能：软件和硬件写保护（通过 WP 引脚）
　　擦除时间：典型值为 1 秒（全片擦除）
　　编程时间：典型值为 3 ms（每页）
　　待机电流：典型值为 1 μA（掉电模式）
　　工作电流：典型值为 7 mA（读取模式，20 MHz）
　　耐久性：100,000 次编程/擦除周期
　　数据保持时间：超过 20 年
　　认证信息：符合 RoHS 和无铅要求

M25P10-AVMN6TPYA 具备多项先进特性，使其在同类串行闪存中表现出色。首先，它采用高速 SPI 接口，支持高达 75 MHz 的时钟频率，能够在高频下实现快速的数据读取，满足对响应速度要求较高的应用场景，如实时固件加载和频繁的数据访问。其标准 SPI 协议包括三条数据线（SI、SO、SCK）、一个片选信号（/S）以及可选的写保护引脚（WP）和保持引脚（HOLD），简化了与主控 MCU 的连接设计。
　　其次，该芯片支持灵活的擦除和编程操作。用户可以按页（256 字节）进行编程，支持按扇区（4 KB）、块（64 KB）或整片擦除，提升了存储管理效率。所有写入和擦除操作均由片内电荷泵完成，无需外部高压电源，降低了系统设计复杂度。同时，内置的状态寄存器允许主机查询当前操作状态，确保操作的可靠性。
　　再者，M25P10-AVMN6TPYA 提供多重写保护机制，包括软件写保护和通过 WP 引脚实现的硬件写保护，有效防止因意外写入导致的数据损坏，特别适用于关键数据存储场合。此外，该器件支持多种低功耗模式，在待机模式下电流极低，进入掉电模式后功耗进一步降低，非常适合便携式或电池供电设备使用。
　　最后，该芯片采用成熟的浮栅 CMOS 工艺制造，具备出色的抗干扰能力和长期数据保持性能，经过严格测试，保证在恶劣工业环境下稳定运行。其封装符合行业标准，便于自动化贴装和回流焊工艺，有利于提高生产良率和降低成本。

M25P10-AVMN6TPYA 广泛应用于多种嵌入式系统和电子设备中。在消费类电子产品中，常用于数字相机、MP3 播放器、智能玩具和家用电器中存储固件或用户设置信息。在工业控制领域，该芯片被集成于 PLC 控制器、传感器模块和人机界面设备中，用于保存校准数据、运行日志或设备配置参数。
　　在网络通信设备中，如路由器、交换机和调制解调器，M25P10-AVMN6TPYA 可作为启动代码（Bootloader）的存储介质，因其快速读取能力和高可靠性而备受青睐。在汽车电子系统中，该芯片可用于车载信息娱乐系统、仪表盘显示模块或车身控制单元中，存储初始化代码或个性化设置。
　　此外，在医疗设备、测量仪器和智能卡终端等对数据完整性要求较高的设备中，该芯片凭借其写保护功能和长期数据保持能力，提供了安全可靠的非易失性存储解决方案。由于其小尺寸封装和低引脚数，也非常适合用于空间受限的便携式设备和物联网节点中，配合低功耗 MCU 实现高效的系统设计。其广泛的温度适应性和稳定性也使其成为户外设备和工业环境中的理想选择。

M25P10-VMN6P
　　EN25P10
　　W25X10CLSNIG