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M2073G-SO8-T 发布时间 时间:2025/7/12 16:57:28 查看 阅读:11

M2073G-SO8-T是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用SO-8封装形式。该器件适用于需要高效能开关和低导通电阻的应用场景,例如电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电机驱动等。其主要特点包括高击穿电压、低导通电阻和出色的热性能,能够有效提高系统效率并降低功耗。
  M2073G-SO8-T基于先进的半导体工艺制造,具有可靠的电气特性和稳定性,能够在较宽的工作温度范围内正常运行。此外,它还具备快速开关速度和低栅极电荷的特点,使其非常适合高频开关应用。

参数

最大漏源电压:60V
  最大连续漏电流:15A
  导通电阻(Rds(on)):2.5mΩ
  栅极电荷(Qg):40nC
  总电容(Ciss):900pF
  工作结温范围:-55℃至175℃
  封装形式:SO-8

特性

1. 高击穿电压:该器件支持高达60V的漏源电压,确保在高压环境下的稳定运行。
  2. 超低导通电阻:2.5mΩ的典型导通电阻显著降低了传导损耗,提高了整体效率。
  3. 快速开关能力:得益于低栅极电荷设计,M2073G-SO8-T可以实现快速开关操作,适合高频应用场景。
  4. 高电流处理能力:支持高达15A的连续漏电流,满足大功率应用需求。
  5. 宽工作温度范围:从-55℃到175℃的结温范围使其能够在极端环境下可靠工作。
  6. 热性能优异:SO-8封装提供良好的散热性能,有助于延长器件寿命。

应用

M2073G-SO8-T广泛应用于各种电力电子设备中,常见的应用领域包括:
  1. 开关电源(SMPS):作为主功率开关,用于高效能量转换。
  2. DC-DC转换器:用作同步整流或降压/升压转换器中的开关元件。
  3. 电机驱动:为直流无刷电机或其他类型的电机提供高效的驱动控制。
  4. 电池管理系统(BMS):用于保护电路和负载开关功能。
  5. 工业自动化设备:如可编程逻辑控制器(PLC)中的功率输出级。
  6. 汽车电子:包括车载充电器、LED驱动和车身控制系统中的功率开关应用。

替代型号

MTP2073G-E, IRF7407, FDP18N06L

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