M13S128168A-5TG2N是一款高性能的静态随机存取存储器(SRAM),采用先进的CMOS工艺制造。该芯片具备高速度、低功耗以及高可靠性等特性,适用于需要快速数据访问和处理的应用场景。
这款SRAM具有128K x 16位的存储容量,总存储量为2M比特,并支持5V的工作电压范围。其封装形式为TQFP(薄型四方扁平封装),引脚数为44,适合在空间有限的电子设备中使用。
存储容量:128K x 16位
工作电压:4.5V 至 5.5V
访问时间:5ns
数据保持时间:无限(在供电条件下)
工作温度范围:0°C 至 70°C
封装类型:TQFP-44
引脚间距:0.8mm
最大功耗:350mW
M13S128168A-5TG2N的主要特性包括:
1. 高速访问时间仅为5ns,确保快速的数据读写操作。
2. 提供128K x 16位的大容量存储空间,满足复杂应用的需求。
3. CMOS工艺保证了低功耗和高可靠性,特别适合便携式或电池供电设备。
4. 具备三态输出缓冲器,便于与其他逻辑电路集成。
5. 支持字节使能功能,用户可以选择性地对单个字节进行操作,优化系统性能。
6. 内置自刷新机制,在待机模式下可降低功耗。
7. 封装紧凑,引脚布局合理,易于安装和焊接。
由于其卓越的性能和灵活性,M13S128168A-5TG2N被广泛应用于以下领域:
1. 工业控制:用于实时数据采集和处理系统,提供快速响应能力。
2. 网络通信:用作高速缓存,提升路由器、交换机等设备的数据传输效率。
3. 医疗设备:如监护仪和超声波设备中的图像处理部分,需要稳定且快速的存储支持。
4. 消费类电子产品:例如高端数码相机和游戏机中的临时数据存储。
5. 嵌入式系统:作为主处理器的外部存储扩展,增强系统的整体性能。
M13S128168A-7TG2N, M13S128168A-10TG2N