时间：2025/7/31 18:29:21
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M12L2561616A-6TG2K 是一款由 Micron（美光）公司生产的 256Mbit（32MB）的低电压同步动态随机存取存储器（Mobile SDRAM）芯片。该存储器专为便携式和低功耗应用设计，如智能手机、平板电脑、手持设备等。这款芯片采用 x16 位宽的数据接口，工作电压为 1.7V 至 3.3V，具备较高的数据传输速率和较低的功耗。其封装形式为 54-ball FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array），适用于紧凑型电路设计。
容量：256 Mbit
组织结构：16M x 16
电压：1.7V - 3.3V
接口类型：x16 SDRAM
封装：54-ball FBGA
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
最大时钟频率：166 MHz
数据速率：166 MHz
访问时间：5.4 ns
封装尺寸：6.0mm x 8.0mm
刷新周期：64ms
M12L2561616A-6TG2K 是一款专为低功耗设计的移动式 SDRAM 芯片，具有出色的性能和能效。其主要特性包括低电压操作、高数据速率、自动刷新和自刷新模式、温度补偿自刷新（TCSR）、部分阵列自刷新（PASR）以及深度掉电模式等。
该芯片支持 166 MHz 的时钟频率，能够提供高达 166 MHz 的数据速率，满足高性能应用的需求。其低电压范围（1.7V 到 3.3V）使其能够在多种电源条件下稳定运行，从而延长电池寿命并降低整体功耗。此外，该芯片还具备多种节能模式，包括自动刷新、自刷新、深度掉电模式等，进一步优化了功耗表现。
为了确保在不同环境下的稳定运行，M12L2561616A-6TG2K 支持宽温度范围（-40°C 至 +85°C），适用于工业级和消费级应用。其 54-ball FBGA 封装形式不仅节省空间，还具有良好的散热性能，适用于紧凑型设备的设计。此外，该芯片支持 64ms 的标准刷新周期，确保数据的长期稳定性，同时具备温度补偿自刷新功能，可在高温环境下自动调整刷新周期，防止数据丢失。
总的来说，M12L2561616A-6TG2K 是一款面向低功耗、高性能存储需求的移动 SDRAM 芯片，适用于各种便携式电子设备和嵌入式系统。
M12L2561616A-6TG2K 主要应用于需要低功耗和高性能存储的便携式设备，如智能手机、平板电脑、手持终端、数字音频播放器、GPS 设备、数码相机等。此外，它也可用于嵌入式系统、工业控制设备、医疗设备和消费类电子产品中，满足对存储容量和能效有较高要求的应用场景。
MT48LC16M16A2B4-6A, H57V2562GTR, K4S641632K
