时间：2025/9/1 8:40:20
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IS43DR86400E-3DBLI 是由Integrated Silicon Solution (ISSI) 公司生产的一款高性能异步静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该器件具有高速访问时间、低功耗设计和高可靠性等特点，广泛应用于通信设备、工业控制、汽车电子以及网络设备等领域。IS43DR86400E-3DBLI 是一种32K x 8位的SRAM芯片，采用先进的CMOS工艺制造，确保了其在各种工作环境下的稳定运行。
容量：256Kbit
组织结构：32K x 8位
电源电压：3.3V
最大访问时间：10ns
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：TSOP
引脚数：54
封装尺寸：18.4mm x 13.0mm
功耗（典型值）：100mA
待机电流：10mA
IS43DR86400E-3DBLI 以其卓越的性能和可靠性成为多种高端应用的首选SRAM芯片。该芯片采用高速CMOS工艺，提供10ns的访问时间，能够满足高速数据处理的需求。其低功耗设计在运行时仅需100mA的典型电流，在待机模式下电流更低至10mA，适用于对功耗敏感的应用场景。
该芯片的工作温度范围为-40°C 至 +85°C，确保了其在极端环境下的稳定性和耐用性，特别适合工业和汽车应用。此外，IS43DR86400E-3DBLI 采用54引脚TSOP封装，具有较小的封装尺寸（18.4mm x 13.0mm），便于在高密度电路板上布局。
芯片的电源电压为3.3V，兼容多种系统设计，并减少了对外部稳压电路的依赖。它还具有高抗噪能力，能够在复杂的电磁环境中保持数据的完整性和稳定性。这些特性使IS43DR86400E-3DBLI 成为高性能嵌入式系统、网络设备和工业控制器的理想选择。
IS43DR86400E-3DBLI 适用于多种高性能电子系统，包括但不限于以下应用领域：
? 工业自动化设备：用于PLC、工业控制器和数据采集系统中的高速缓存存储器。
? 网络与通信设备：用于路由器、交换机和基站控制器中的临时数据存储和缓冲。
? 汽车电子系统：用于车载控制单元、ADAS系统和车载信息娱乐系统（IVI）中，确保快速数据处理和存储。
? 医疗设备：用于医疗成像设备和诊断仪器中的高速数据缓存，提高设备响应速度。
? 嵌入式系统：作为微处理器或微控制器的外部高速缓存，提升系统整体性能。
IS42S16400F-6T
IS43LV16400B-6T
