M12L2561616A-6BG2S 是一款由 Micron(美光)生产的 DDR3L SDRAM 内存芯片。该芯片主要面向移动设备、嵌入式系统和其他低功耗应用,具有较低的工作电压和高数据传输速率的特点。
DDR3L 是 DDR3 的低电压版本,工作电压为 1.35V,相比标准 DDR3 的 1.5V 更节能,适合对功耗敏感的应用场景。
容量:2Gb (256Mb x 8)
位宽:x8
工作电压:1.35V ± 0.05V
数据速率:800 MT/s (PC3-6400L)
I/O 引脚:LVDS
封装类型:FBGA 78-ball
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
引脚间距:1.0mm
M12L2561616A-6BG2S 芯片支持 DDR3L 的所有标准功能,包括 CAS 延迟可编程性、ODT(片上终端电阻)、自动刷新和自刷新模式等。
其采用 FBGA 封装形式,体积小巧,非常适合空间受限的移动设备。
这款芯片还支持 ECC(错误检查与纠正)功能,提高了数据传输的可靠性。
此外,它具备较低的功耗和较高的数据带宽,非常适合需要高性能和低功耗的嵌入式系统和便携式电子设备。
该芯片符合 JEDEC DDR3L 标准,确保与其他 DDR3L 设备的兼容性。
M12L2561616A-6BG2S 广泛应用于各种对性能和功耗要求较高的场合。
常见应用领域包括:
1. 智能手机和平板电脑中的主内存模块。
2. 工业级嵌入式设备,如 PLC 和 HMI 系统。
3. 网络通信设备,例如路由器和交换机。
4. 医疗设备,如超声波设备和监护仪。
5. 数字标牌和多媒体播放器。
6. 汽车电子系统,例如信息娱乐系统和导航设备。
MT12L256M16EW-093:B, K4B2G164QD-BJEG