M058LBN是一款高性能的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于功率转换、电机驱动和负载开关等领域。该器件采用了先进的制造工艺,具备低导通电阻、快速开关速度和高可靠性等特性。
通过优化的设计,M058LBN能够在高频应用中提供高效的性能表现,同时具有良好的热稳定性和抗浪涌能力。
型号:M058LBN
类型:N沟道增强型MOSFET
漏源极击穿电压(Vds):60V
栅源极击穿电压(Vgs):±20V
最大漏极电流(Id):14A
导通电阻(Rds(on)):5.5mΩ @ Vgs=10V
栅极电荷(Qg):38nC
输入电容(Ciss):1900pF
输出电容(Coss):270pF
反向传输电容(Crss):68pF
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
M058LBN具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够显著降低传导损耗,提升效率。
2. 高速开关性能,适合高频功率转换应用。
3. 强大的雪崩能力和鲁棒性,确保在恶劣条件下稳定运行。
4. 小尺寸封装,有助于节省PCB空间。
5. 符合RoHS标准,环保设计。
6. 优异的热性能,支持高功率密度设计。
7. 支持宽范围的工作温度,适应各种环境条件。
M058LBN适用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. DC-DC转换器中的同步整流器。
3. 电机驱动电路中的功率级开关。
4. 负载开关和保护电路。
5. 太阳能逆变器中的功率转换模块。
6. 工业自动化设备中的功率控制元件。
7. 汽车电子系统中的负载切换组件。
M058LBK, M058LBP, M058LBR