时间：2025/5/26 21:45:50
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M058LBN是一款高性能的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于功率转换、电机驱动和负载开关等领域。该器件采用了先进的制造工艺，具备低导通电阻、快速开关速度和高可靠性等特性。
通过优化的设计，M058LBN能够在高频应用中提供高效的性能表现，同时具有良好的热稳定性和抗浪涌能力。
型号：M058LBN
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源极击穿电压(Vds)：60V
栅源极击穿电压(Vgs)：±20V
最大漏极电流(Id)：14A
导通电阻(Rds(on))：5.5mΩ @ Vgs=10V
栅极电荷(Qg)：38nC
输入电容(Ciss)：1900pF
输出电容(Coss)：270pF
反向传输电容(Crss)：68pF
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
M058LBN具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻(Rds(on))，能够显著降低传导损耗，提升效率。
2. 高速开关性能，适合高频功率转换应用。
3. 强大的雪崩能力和鲁棒性，确保在恶劣条件下稳定运行。
4. 小尺寸封装，有助于节省PCB空间。
5. 符合RoHS标准，环保设计。
6. 优异的热性能，支持高功率密度设计。
7. 支持宽范围的工作温度，适应各种环境条件。
M058LBN适用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. DC-DC转换器中的同步整流器。
3. 电机驱动电路中的功率级开关。
4. 负载开关和保护电路。
5. 太阳能逆变器中的功率转换模块。
6. 工业自动化设备中的功率控制元件。
7. 汽车电子系统中的负载切换组件。
M058LBK, M058LBP, M058LBR
