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M058LBN 发布时间 时间:2025/5/26 21:45:50 查看 阅读:22

M058LBN是一款高性能的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于功率转换、电机驱动和负载开关等领域。该器件采用了先进的制造工艺,具备低导通电阻、快速开关速度和高可靠性等特性。
  通过优化的设计,M058LBN能够在高频应用中提供高效的性能表现,同时具有良好的热稳定性和抗浪涌能力。

参数

型号:M058LBN
  类型:N沟道增强型MOSFET
  漏源极击穿电压(Vds):60V
  栅源极击穿电压(Vgs):±20V
  最大漏极电流(Id):14A
  导通电阻(Rds(on)):5.5mΩ @ Vgs=10V
  栅极电荷(Qg):38nC
  输入电容(Ciss):1900pF
  输出电容(Coss):270pF
  反向传输电容(Crss):68pF
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C

特性

M058LBN具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够显著降低传导损耗,提升效率。
  2. 高速开关性能,适合高频功率转换应用。
  3. 强大的雪崩能力和鲁棒性,确保在恶劣条件下稳定运行。
  4. 小尺寸封装,有助于节省PCB空间。
  5. 符合RoHS标准,环保设计。
  6. 优异的热性能,支持高功率密度设计。
  7. 支持宽范围的工作温度,适应各种环境条件。

应用

M058LBN适用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
  2. DC-DC转换器中的同步整流器。
  3. 电机驱动电路中的功率级开关。
  4. 负载开关和保护电路。
  5. 太阳能逆变器中的功率转换模块。
  6. 工业自动化设备中的功率控制元件。
  7. 汽车电子系统中的负载切换组件。

替代型号

M058LBK, M058LBP, M058LBR

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M058LBN参数

  • 标准包装250
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭嵌入式 - 微控制器,
  • 系列NuMicro M051™ BN
  • 核心处理器ARM? Cortex?-M0
  • 芯体尺寸32-位
  • 速度50MHz
  • 连通性EBI/EMI,I²C,IrDA,LIN,SPI,UART/USART
  • 外围设备欠压检测/复位,POR,PWM,WDT
  • 输入/输出数40
  • 程序存储器容量32KB(32K x 8)
  • 程序存储器类型闪存
  • EEPROM 大小-
  • RAM 容量4K x 8
  • 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)2.5 V ~ 5.5 V
  • 数据转换器A/D 8x12b
  • 振荡器型内部
  • 工作温度-40°C ~ 85°C
  • 封装/外壳48-LQFP
  • 包装托盘