时间：2025/6/13 12:52:18
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SQM110N04-03L-GE3 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效功率晶体管，属于增强型场效应晶体管 (eGaN FET) 系列。该器件专为高频开关应用设计，具有低导通电阻和快速开关速度的特点。相比传统硅基 MOSFET，SQM110N04-03L-GE3 提供了更高的效率和更小的尺寸，适用于 DC-DC 转换器、电机驱动、无线充电以及其它高频率功率转换场景。
其封装形式为 LFPAK8 封装，能够有效降低寄生电感对性能的影响，同时支持表面贴装技术 (SMT)，便于自动化生产和散热管理。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：110A
导通电阻：0.7mΩ
栅极电荷：5nC
开关速度：纳秒级
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
SQM110N04-03L-GE3 具备以下关键特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可显著减少传导损耗，提高系统效率。
2. 快速的开关速度和较低的栅极电荷，有助于减少开关损耗。
3. 氮化镓材料的使用使其能够在更高的频率下运行，从而减小无源元件的尺寸。
4. 支持高达 175℃ 的结温操作，增强了高温环境下的可靠性。
5. 内置反向恢复二极管功能，进一步优化了在高频开关条件下的性能表现。
6. LFPAK8 封装设计降低了寄生电感，提升了整体系统的稳定性。
SQM110N04-03L-GE3 广泛应用于各种高频功率电子领域，包括但不限于：
1. 高效 DC-DC 转换器设计，特别是用于服务器、电信设备及工业电源。
2. 电动车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 中的电机驱动与车载充电器。
3. 消费类电子产品中的快速充电解决方案，例如 USB-PD 充电器。
4. 工业自动化设备中的高频逆变器和变频器。
5. 无线充电设备，提供更高效的能量传输能力。
SQM110N04-03L-GA3
SQM110N04-03L-GB3
