M-987-2A1KTR 是一款由 IXYS 公司生产的 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,广泛应用于高功率电子设备中,如逆变器、电机驱动器和电源系统。该模块结合了 MOSFET 的高输入阻抗和双极型晶体管的低导通压降特性,使其在高功率应用中具有出色的性能和效率。
类型:IGBT模块
最大集电极电流(Ic):2A
最大集电极-发射极电压(Vce):1200V
封装类型:TO-247
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
最大功耗:2.5W
导通压降:约1.45V(在25°C时)
栅极阈值电压:5V 至 8V
M-987-2A1KTR IGBT 模块在高功率应用中表现出色,具有较高的电流承载能力和较低的导通压降,从而提高了系统的整体效率。该器件具有良好的热稳定性和抗短路能力,能够在高温和高负载条件下可靠运行。此外,M-987-2A1KTR 的封装设计优化了散热性能,确保在高功率密度应用中保持稳定的工作温度。该模块还具备良好的电磁兼容性(EMC),减少了外部干扰对系统性能的影响,适用于需要高可靠性和稳定性的工业和汽车电子应用。
在实际应用中,M-987-2A1KTR 可以替代传统的双极型晶体管和MOSFET,特别是在需要高电压和中等电流的场合。其先进的芯片技术和优化的封装结构使其具有较低的开关损耗,从而提高了系统的能效并减少了散热需求。这种IGBT模块还具有较高的短路耐受能力,能够有效防止因负载突变或短路引起的器件损坏,提升了系统的安全性和稳定性。
M-987-2A1KTR 主要应用于各种高功率电子设备,如工业逆变器、电机驱动器、不间断电源(UPS)、电焊机和可再生能源系统(如太阳能逆变器)。此外,该模块还广泛用于电动汽车(EV)充电设备、智能电网系统和自动化控制系统,确保这些设备在高电压和高电流条件下稳定、高效运行。
SGW25N120HD, FGA25N120ANTD