类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　漏极电流（ID）：连续 160A（最大）
　　导通电阻（RDS(on)）：约 2.5mΩ（典型值）
　　封装类型：TO-247
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

HD2216 采用先进的沟槽式功率 MOSFET 技术，具有极低的导通电阻，从而降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。该器件的高电流容量（可达 160A）使其非常适合用于高功率密度的设计中。此外，HD2216 具有快速开关特性，减少了开关损耗，提升了系统响应速度。
　　在热管理方面，HD2216 采用了高导热性的 TO-247 封装，能够在高负载条件下有效散热，确保器件在高温环境下仍能稳定运行。该器件还具备良好的抗雪崩击穿能力和过热保护特性，增强了其在恶劣工况下的可靠性。
　　HD2216 的栅极驱动电压范围较宽（±20V），允许设计者灵活选择合适的驱动电路，并具有较强的抗干扰能力，防止误触发。

HD2216 主要用于需要高电流、高效率的电力电子系统中，例如高性能 DC-DC 转换器、电动工具和电动车的马达驱动器、工业自动化设备的功率控制模块、服务器电源和 UPS（不间断电源）系统等。此外，由于其快速开关特性和低导通电阻，它也常用于高频开关电源和同步整流电路中，以提升整体能效。
　　在汽车电子领域，HD2216 可用于电池管理系统（BMS）、车载充电器（OBC）和电能转换系统中。在太阳能逆变器和储能系统中，该器件也因其高可靠性和高效率而被广泛采用。

IRF1405, SiS1416DN, IXFH160N60Q2