LZ95N58是一款N沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件具有高耐压、低导通电阻和快速开关特性,适用于高效率的DC-DC转换器、负载开关以及马达驱动等应用场景。LZ95N58采用TO-220或DPAK等封装形式,具有良好的热稳定性和可靠性。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(VDS):500V
栅源电压(VGS):±20V
连续漏极电流(ID):5A
导通电阻(RDS(on)):典型值为1.2Ω(VGS=10V)
功耗(PD):50W
工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
封装类型:TO-220/TO-252
LZ95N58作为一款高性能功率MOSFET,具备多项优异特性。首先,其高耐压能力达到500V,能够胜任高压电源应用的需求。其次,该器件的导通电阻较低,在VGS=10V时典型值为1.2Ω,有助于降低导通损耗,提高系统效率。此外,LZ95N58具有快速开关特性,缩短了开关过程中的能量损耗,有利于提高工作频率和减小外围元件尺寸。该器件的封装设计考虑了良好的散热性能,确保在高功率工作条件下仍能保持稳定的热性能。LZ95N58还具备较强的抗过载能力和良好的可靠性,适用于工业级和消费类电子设备。
LZ95N58适用于多种电源管理和功率控制应用。在DC-DC转换器中,它可以作为主开关器件,实现高效的电压变换。在AC-DC电源中,LZ95N58可用于PFC(功率因数校正)电路或主开关电路,提高电源的整体效率。此外,该器件还可用于马达驱动电路,作为H桥结构中的功率开关,实现对马达速度和方向的精确控制。LZ95N58也适用于LED照明驱动、充电器、适配器以及工业自动化设备中的功率控制模块。由于其良好的热稳定性和可靠性,LZ95N58在高环境温度或长时间连续工作的应用中表现出色。
FQA5N50, 2SK2647, STP5NK50Z, IRF840