时间:2025/12/27 14:39:20
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EN5335QI-E是一款由Elite Power(原南芯半导体)推出的高集成度、高性能的QR(准谐振)反激式控制器,广泛应用于中小功率离线式开关电源设计中。该芯片主要面向高效率、高可靠性且成本敏感的AC-DC电源适配器、充电器和内置电源(如TV、显示器、智能家居设备等)。EN5335QI-E采用先进的多模式控制技术,能够在全负载范围内实现高效运行,并显著降低待机功耗,满足全球最严格的能效标准,如CoC Tier 2、DoE Level VI以及Energy Star等环保规范。该器件内置高压启动电路,支持快速启动并减少外部元件数量,有助于简化电源设计并提高系统可靠性。此外,芯片具备完善的保护功能,包括过压保护(OVP)、过流保护(OCP)、短路保护(SCP)、过温保护(OTP)以及前沿消隐(Leading Edge Blanking)等功能,确保在各种异常工况下稳定可靠运行。EN5335QI-E采用SOP-8封装,符合RoHS标准,并支持绿色生产流程。
工作电压范围:10V ~ 22V
启动电流:< 10μA
工作电流:≈ 2.5mA
最大栅极驱动输出电压:约12V
开关频率范围:25kHz ~ 125kHz
调制模式:QR(准谐振)+ CCM + DCM 多模式
软启动时间:典型值8ms
过压保护(OVP)阈值:可调,典型4.5V
电流检测输入阈值:典型0.9V
封装形式:SOP-8
内置高压启动:支持
驱动类型:图腾柱输出
占空比限制:最大约85%
反馈控制方式:电流模式控制
保护功能:OVP, OCP, SCP, OTP, VCC UVLO, 软启动, 前沿消隐
EN5335QI-E具备优异的多模式控制能力,可在不同负载条件下自动切换工作模式以优化效率。在重载时进入准谐振(QR)模式,利用谷底开关技术降低MOSFET的开通损耗,提升转换效率;在中等负载时切换至连续导通模式(CCM),保持稳定输出;在轻载及空载时则自动转入断续导通模式(DCM)或突发模式(Burst Mode),大幅降低开关频率和驱动损耗,从而实现极低的待机功耗,通常可低于30mW。该芯片集成了智能跳谷技术,可根据输入电压和负载情况动态选择最优的谷底进行开关动作,避免误触发和噪声干扰,同时提升整体系统效率。
其内置的高压启动单元可在上电后直接从高压母线汲取电流为VCC电容充电,无需额外的启动电阻或辅助绕组供电,不仅加快了启动速度,还减少了待机状态下的功耗。此外,芯片内部集成了精确的基准电压源和误差放大器,配合外部光耦实现稳定的电压反馈控制,确保输出电压精度优于±1%。电流检测前端采用前沿消隐技术,有效抑制功率MOSFET开通瞬间产生的电流尖峰干扰,防止误触发过流保护,提升系统稳定性。
EN5335QI-E还具备全面的保护机制。当输出电压异常升高时,OVP功能会立即关闭PWM输出;OCP通过实时监测原边电流实现逐周期限流;SCP可在输出短路时迅速响应并进入打嗝模式,限制功率器件应力;OTP则在芯片温度超过安全阈值时关断输出,待温度下降后自动恢复。所有这些保护均具备自恢复或锁存选项,可根据应用需求配置。此外,芯片具有良好的EMI性能设计,通过频率抖动(Frequency Shuffling)技术分散能量频谱,降低传导和辐射干扰,便于通过EMI认证。
EN5335QI-E适用于多种中低端AC-DC电源应用场景,尤其适合对成本、效率和可靠性有较高要求的产品。典型应用包括手机、平板电脑、蓝牙耳机等消费类电子产品的充电器,尤其是5V/1A至5V/2A的小功率USB充电头。此外,它也广泛用于智能家居设备电源模块,如Wi-Fi路由器、智能插座、IP摄像头、语音助手等内置电源设计。在工业领域,可用于小型继电器模块、传感器供电单元或PLC辅助电源。由于其出色的待机功耗表现,该芯片也非常适合用于电视、显示器、机顶盒等家电产品的待机电源或主电源辅助控制部分。得益于SOP-8的小型封装和外围电路简洁性,EN5335QI-E能够适应紧凑型PCB布局,特别适合空间受限的应用场景。其高集成度减少了对外部元件的依赖,降低了BOM成本,提升了整体系统的性价比和量产一致性。此外,该芯片支持宽输入电压范围(通用交流输入85V~265V),可在全球范围内使用,适用于出口型电子产品设计。
SC3335Q