类型：N沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：300V
　　漏极电流（Id）：9A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.35Ω
　　栅极电压（Vgs）：±20V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220
　　功率耗散（Pd）：60W

LZ0P390P MOSFET具有多项优异特性，使其在多种电源管理应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）为0.35Ω，显著降低了导通损耗，提高了整体系统效率。在高电压（300V）和高电流（9A）条件下，LZ0P390P依然能稳定运行，适用于对可靠性要求较高的工业设备和电源适配器。
　　其次，该器件采用TO-220封装，具备良好的散热性能，可有效降低工作温度，延长使用寿命。这种封装形式也便于安装在散热片上，以进一步提升热管理能力。此外，LZ0P390P支持±20V的栅极电压，具备较高的栅极抗压能力，防止因电压波动而导致的损坏。
　　该MOSFET的功率耗散能力为60W，适合在中高功率环境中使用。其工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于宽温度范围的工作环境，包括工业级和汽车电子应用。综合这些特性，LZ0P390P在电源转换、负载开关和电机控制等场景中具有较高的稳定性和可靠性。

LZ0P390P 主要应用于各类电源管理系统中，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器、电池充电器和电机控制电路。由于其高电压和电流处理能力，该MOSFET也广泛用于工业自动化设备、UPS（不间断电源）、照明控制系统以及家用电器中的电源模块。此外，该器件也可用于负载开关、继电器替代和功率放大器等应用中，提供高效的功率控制解决方案。

2SK2647, 2SK1530, 2SK1172