LZ0P3610 时间：2025/8/28 3:45:11 阅读：5

LZ0P3610是一款高性能的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率功率转换应用设计。该器件采用了先进的工艺技术，具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压能力和卓越的热稳定性，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等应用场景。LZ0P3610采用标准的TO-252（DPAK）封装形式，具备良好的散热性能和可靠性，适合在工业级温度范围内稳定工作。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：30A（在25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：≤3.6mΩ（典型值）
　　功耗（Pd）：100W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

特性

LZ0P3610采用了先进的沟槽式MOSFET技术，实现了极低的导通电阻（Rds(on)），从而降低了导通损耗，提高了系统效率。该器件具有高电流承载能力和优异的热稳定性，能够在高负载条件下长时间稳定运行。其高耐压特性（60V Vds）使其适用于多种中高功率应用，如电源转换器、电池管理系统和工业控制设备。
　　此外，LZ0P3610的栅极驱动设计优化了开关性能，减少了开关损耗，提升了整体能效。其TO-252封装形式不仅提供了良好的散热能力，还支持表面贴装工艺，便于在PCB上安装和集成。该器件还具备良好的短路耐受能力，提高了系统在异常情况下的可靠性。
　　LZ0P3610在设计上充分考虑了EMI（电磁干扰）控制和热管理，适用于高频率开关应用，同时具备较强的抗干扰能力。该MOSFET符合RoHS环保标准，适用于各类工业、汽车和消费类电子产品中的功率控制需求。

应用

LZ0P3610广泛应用于各类高功率密度和高效率要求的电子系统中，例如：
　　? DC-DC降压/升压转换器
　　? 同步整流器
　　? 电池充电与管理系统
　　? 负载开关和电源管理模块
　　? 电机驱动与控制电路
　　? 工业自动化设备和伺服系统
　　? 服务器与通信设备电源
　　? 汽车电子与新能源汽车相关控制系统