时间：2025/8/7 9:20:17
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LYT2004K-TL 是一款由 LYT（乐山电子）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，主要用于电源管理和开关应用。这款 MOSFET 具有低导通电阻、高效率和高可靠性的特点，适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统以及其他需要高电流开关能力的电路中。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：100A
导通电阻（RDS(on)）：4.5mΩ（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：TO-252（DPAK）
功率耗散（PD）：100W
LYT2004K-TL 的主要特性之一是其极低的导通电阻（RDS(on)），这有助于降低导通状态下的功率损耗，提高系统效率。该器件的高电流承载能力使其适用于大功率应用，如电源供应器和电机控制电路。此外，其 TO-252 封装提供了良好的散热性能，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。
该 MOSFET 还具有良好的热稳定性和过载保护能力，能够在高温环境下正常工作。栅极驱动电压范围宽，通常在 4.5V 至 20V 之间，支持与多种控制电路的兼容性。此外，其快速开关特性有助于减少开关损耗，提高整体系统性能。LYT2004K-TL 在设计上兼顾了导通损耗和开关损耗的平衡，是高效率电源系统中的理想选择。
LYT2004K-TL 广泛应用于多种电子设备和系统中，包括但不限于 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统、电动工具、电动车辆（EV）充电系统以及工业自动化控制设备。由于其高电流能力和低导通电阻，该器件在需要高效能量转换和管理的场合表现出色，特别是在高功率密度设计中具有显著优势。
SiR142DP-T1-GE3, FDS6680, IRF1404, STF100N3R0-03
