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LXV80VB56RM8X20LL 发布时间 时间:2025/9/10 10:37:17 查看 阅读:24

LXV80VB56RM8X20LL 是一款由 Micron Technology 生产的 DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片属于低功耗 DDR4(LPDDR4)系列,具有高带宽和低功耗的特点,适用于移动设备、嵌入式系统和高性能计算设备等对功耗和性能有较高要求的应用场景。该芯片采用 FBGA(Fine-Pitch Ball Grid Array)封装,具有较高的集成度和良好的热性能。

参数

容量:8GB
  电压:1.1V / 1.5V
  频率:3200Mbps
  数据总线宽度:x16
  封装类型:FBGA
  封装尺寸:8mm x 10mm
  温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

LXV80VB56RM8X20LL 是一款高性能、低功耗的 LPDDR4 SDRAM 芯片,其主要特性包括高达 3200Mbps 的数据速率,支持快速数据传输和高效内存访问。该芯片采用 16 位数据总线宽度,提供更高的带宽利用率,适用于需要高吞吐量的应用场景。芯片支持 1.1V 和 1.5V 双电压供电,以实现更低的功耗和更长的电池寿命。此外,该芯片支持多种节能模式,包括深度掉电模式和自刷新模式,进一步降低功耗。
  在封装方面,LXV80VB56RM8X20LL 采用 8mm x 10mm 的 FBGA 封装,适合高密度 PCB 布局,并具有良好的散热性能。该芯片支持自动预充电和突发读写操作,提高了内存访问效率。工作温度范围为 -40°C 至 +85°C,确保在各种环境条件下稳定运行。此外,该芯片还支持多种错误检测和校正机制,提高了系统的可靠性和稳定性。

应用

LXV80VB56RM8X20LL 主要用于高端移动设备(如智能手机和平板电脑)、嵌入式系统、工业控制设备、网络设备以及高性能计算模块等场景。由于其高带宽和低功耗特性,特别适用于需要处理大量数据且对电池寿命要求较高的设备。该芯片也广泛应用于 AI 加速模块、图像处理设备和车载电子系统中,提供稳定高效的内存支持。

替代型号

LXV80VE8AM8X20LL, LXV80VB56RM8X21BA, LXV80VE8AM8X21BA

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