时间:2025/12/28 7:06:15
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LVW5SN是一款由ONSEMI(安森美)公司生产的表面贴装肖特基二极管阵列,采用SOD-523封装。该器件集成了一个单个肖特基二极管,专为在便携式电子设备和高密度PCB设计中实现高效、低功耗整流和信号保护而设计。由于其小型化封装和优异的电气性能,LVW5SN广泛应用于消费类电子产品、通信设备以及电池供电系统中。肖特基二极管因其较低的正向导通压降和快速开关特性,在高频整流、反向电压保护和防止电流倒灌等场景中表现优异。该器件符合RoHS环保标准,并支持无铅焊接工艺,适用于现代绿色电子制造要求。LVW5SN能够在较小的空间内提供可靠的电气性能,是空间受限应用中的理想选择。此外,该器件具有良好的热稳定性和可靠性,可在较宽的温度范围内稳定工作,适合工业级和商业级应用场景。
类型:肖特基二极管
配置:单路
最大重复反向电压(VRRM):30V
最大直流反向电压(VR):30V
最大正向平均整流电流(IO):200mA
峰值正向浪涌电流(IFSM):0.5A
最大正向电压(VF):450mV @ 10mA,650mV @ 200mA
最大反向漏电流(IR):100μA @ 30V
工作结温范围(TJ):-55°C 至 +150°C
存储温度范围:-55°C 至 +150°C
封装/外壳:SOD-523
安装类型:表面贴装(SMT)
引脚数:2
产品直径:约1.6mm x 1.2mm x 0.95mm
LVW5SN具备出色的电学性能和物理紧凑性,使其成为众多低功率电子系统中的关键元件。其核心优势在于采用了肖特基势垒技术,这种结构使得二极管具有比传统PN结二极管更低的正向导通压降,从而显著降低功耗并提高系统效率。在典型工作条件下,当正向电流为10mA时,其正向压降仅为450mV左右,而在200mA满载时也仅上升至650mV,这一特性对于电池供电设备尤为重要,有助于延长续航时间。
此外,该器件拥有极快的开关速度,反向恢复时间几乎可以忽略不计,因此非常适合用于高频开关电路、DC-DC转换器的续流或箝位应用,以及防止反向极性连接造成的损坏。其200mA的连续正向电流能力足以满足大多数便携式设备中小信号整流需求。
从封装角度看,SOD-523是一种超小型塑料封装,尺寸极为紧凑,非常适合高密度印刷电路板布局,尤其是在智能手机、可穿戴设备和平板电脑等对空间要求严苛的产品中。尽管体积小,但该封装仍具备良好的散热性能和机械强度,能够承受标准回流焊工艺,确保生产过程中的可靠装配。
热性能方面,LVW5SN的工作结温可达+150°C,表明其在高温环境下依然能保持稳定运行。同时,-55°C的低温下限使其适用于极端环境下的工业或户外设备。器件的反向漏电流控制在100μA以内(在30V下),保证了在关断状态下的低静态功耗,避免不必要的能量损耗。
综上所述,LVW5SN凭借其低VF、高速度、小尺寸和高可靠性,成为现代电子设计中不可或缺的分立器件之一,尤其适用于对能效和空间利用有较高要求的应用场合。
LVW5SN广泛应用于多种低电压、低电流的电子系统中,主要功能包括电源极性保护、信号整流、反向电压隔离和瞬态抑制等。在便携式消费电子产品如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和智能手表中,常用于USB接口的电源输入端,防止因电池反接或外部电源异常导致主控芯片损坏。
在电池管理系统(BMS)或单节锂电池供电设备中,该二极管可用于防止电池放电时电流倒流至充电电路,提升整体系统安全性。此外,在DC-DC转换器拓扑中,例如升压或降压电路中,LVW5SN可作为续流二极管使用,利用其快速响应特性减少开关损耗,提高转换效率。
在通信模块和传感器接口电路中,它也被用来进行信号钳位和静电放电(ESD)防护,虽然其主要用途并非专用ESD保护器件,但由于其快速响应能力和一定的浪涌耐受能力(0.5A非重复峰值电流),在轻度瞬态保护场景中也能发挥作用。
工业控制领域的小型PLC、数据采集模块和无线传感节点中,该器件用于电源轨隔离和多电源系统中的“或”逻辑供电管理,确保不同电源路径之间不会相互干扰。
此外,由于其符合AEC-Q101汽车电子可靠性标准的可能性(需查阅具体批次认证情况),该器件也可能被用于车载信息娱乐系统或车身电子模块中。总之,凡是需要小型化、高效能且成本可控的整流与保护功能的场合,LVW5SN都是一个极具吸引力的选择。
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"LBAT54C,SOT-23",
"BAT54C,SOT-23",
"RB751S-40,SC-70",
"PMG280EP,SOD-523",
"DPG280U,SOD-523"
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