LVSL10180Z070是一款高性能的功率MOSFET芯片,专为开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等应用设计。该器件采用先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提高系统效率并减少热损耗。
此型号属于N沟道增强型MOSFET,具有出色的电气性能和可靠性,适用于多种工业及消费类电子设备。
最大漏源电压:100V
连续漏极电流:18A
导通电阻:7mΩ
栅极电荷:25nC
开关时间:开通延迟时间10ns,关断下降时间15ns
工作温度范围:-55℃至175℃
1. 极低的导通电阻,有助于降低功耗,提升整体系统效率。
2. 高速开关能力,支持高频电路设计,减少磁性元件体积。
3. 强大的雪崩耐量能力,增强在恶劣环境下的可靠性。
4. 紧凑的封装形式,节省PCB空间,简化散热设计。
5. 宽广的工作温度范围,适应各种极端条件下的使用需求。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器中的功率开关。
3. 电机驱动电路中的H桥或半桥配置。
4. 电池管理系统(BMS)中的负载切换控制。
5. 各类工业自动化设备中的功率控制模块。
LVSL10180Z080
LVSL10200Z070
IRFZ44N