时间：2025/5/26 22:13:34
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LVSL10180Z070是一款高性能的功率MOSFET芯片，专为开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等应用设计。该器件采用先进的半导体制造工艺，具备低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著提高系统效率并减少热损耗。
此型号属于N沟道增强型MOSFET，具有出色的电气性能和可靠性，适用于多种工业及消费类电子设备。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：18A
导通电阻：7mΩ
栅极电荷：25nC
开关时间：开通延迟时间10ns，关断下降时间15ns
工作温度范围：-55℃至175℃
1. 极低的导通电阻，有助于降低功耗，提升整体系统效率。
2. 高速开关能力，支持高频电路设计，减少磁性元件体积。
3. 强大的雪崩耐量能力，增强在恶劣环境下的可靠性。
4. 紧凑的封装形式，节省PCB空间，简化散热设计。
5. 宽广的工作温度范围，适应各种极端条件下的使用需求。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器中的功率开关。
3. 电机驱动电路中的H桥或半桥配置。
4. 电池管理系统(BMS)中的负载切换控制。
5. 各类工业自动化设备中的功率控制模块。
LVSL10180Z080
LVSL10200Z070
IRFZ44N
