SM1105-GBB1S-E2是一款由SystemOne推出的高性能、低功耗的射频(RF)开关集成电路(IC),广泛应用于无线通信系统、射频前端模块、基站设备、工业控制系统以及消费类电子产品中。该器件采用先进的硅基CMOS工艺制造,具备优良的射频性能和高度集成的特点。SM1105-GBB1S-E2支持多个频段的切换,适用于多频段通信系统中的天线或射频信号路径的切换控制。
类型:射频开关
工作频率:DC至6 GHz
电源电压:2.3V至5.5V
工作温度范围:-40°C至+85°C
封装类型:TQFN
封装尺寸:3 mm x 3 mm
插入损耗(典型值):0.3 dB(在2.5 GHz)
隔离度(典型值):30 dB(在2.5 GHz)
控制接口:GPIO或I2C(视具体版本而定)
功耗:低功耗模式支持
阻抗匹配:50Ω
SM1105-GBB1S-E2是一款高集成度、多通道射频开关IC,适用于多频段无线通信系统中的信号路径切换。其工作频率覆盖DC至6 GHz,可广泛支持从低频到高频的各种无线标准,如Wi-Fi、蓝牙、GSM、WCDMA、LTE、5G等。
该器件采用低功耗CMOS工艺,具有极低的插入损耗和高隔离度,在高频段仍能保持良好的信号完整性。典型插入损耗在2.5 GHz时仅为0.3 dB,隔离度可达30 dB,有效防止不同信号路径之间的干扰。
SM1105-GBB1S-E2支持多种控制接口,包括GPIO和I2C,便于与微控制器、FPGA或基带处理器进行通信。该器件具有灵活的控制方式,可通过硬件引脚配置或软件命令实现开关状态的切换。
此外,该芯片具备良好的线性度和功率处理能力,可承受高达+30 dBm的输入功率(连续波),适用于多种射频前端应用场景。其宽泛的电源电压范围(2.3V至5.5V)使其兼容多种电源管理系统,便于在不同设计中使用。
封装方面,SM1105-GBB1S-E2采用3 mm x 3 mm TQFN封装,具有较小的PCB占用面积,适用于高密度布局的射频模块设计。
该芯片主要应用于以下领域:
? 多频段无线通信设备(如Wi-Fi路由器、蓝牙模块、ZigBee设备)
? 射频前端模块(RF FEM)
? 基站和小型蜂窝基站(Small Cell)
? 工业自动化和远程监测系统
? 智能手机和平板电脑的射频切换电路
? 测试仪器和测量设备中的射频信号路由
? 车载通信系统(如V2X、T-BOX)
? 物联网(IoT)设备中的多频段天线切换
Peregrine PE426420, Skyworks SKY13350-376LF, Qorvo QS21134, NXP BF1156