您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > SM1105-GBB1S-E2

SM1105-GBB1S-E2 发布时间 时间:2025/8/5 0:13:40 查看 阅读:30

SM1105-GBB1S-E2是一款由SystemOne推出的高性能、低功耗的射频(RF)开关集成电路(IC),广泛应用于无线通信系统、射频前端模块、基站设备、工业控制系统以及消费类电子产品中。该器件采用先进的硅基CMOS工艺制造,具备优良的射频性能和高度集成的特点。SM1105-GBB1S-E2支持多个频段的切换,适用于多频段通信系统中的天线或射频信号路径的切换控制。

参数

类型:射频开关
  工作频率:DC至6 GHz
  电源电压:2.3V至5.5V
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  封装类型:TQFN
  封装尺寸:3 mm x 3 mm
  插入损耗(典型值):0.3 dB(在2.5 GHz)
  隔离度(典型值):30 dB(在2.5 GHz)
  控制接口:GPIO或I2C(视具体版本而定)
  功耗:低功耗模式支持
  阻抗匹配:50Ω

特性

SM1105-GBB1S-E2是一款高集成度、多通道射频开关IC,适用于多频段无线通信系统中的信号路径切换。其工作频率覆盖DC至6 GHz,可广泛支持从低频到高频的各种无线标准,如Wi-Fi、蓝牙、GSM、WCDMA、LTE、5G等。
  该器件采用低功耗CMOS工艺,具有极低的插入损耗和高隔离度,在高频段仍能保持良好的信号完整性。典型插入损耗在2.5 GHz时仅为0.3 dB,隔离度可达30 dB,有效防止不同信号路径之间的干扰。
  SM1105-GBB1S-E2支持多种控制接口,包括GPIO和I2C,便于与微控制器、FPGA或基带处理器进行通信。该器件具有灵活的控制方式,可通过硬件引脚配置或软件命令实现开关状态的切换。
  此外,该芯片具备良好的线性度和功率处理能力,可承受高达+30 dBm的输入功率(连续波),适用于多种射频前端应用场景。其宽泛的电源电压范围(2.3V至5.5V)使其兼容多种电源管理系统,便于在不同设计中使用。
  封装方面,SM1105-GBB1S-E2采用3 mm x 3 mm TQFN封装,具有较小的PCB占用面积,适用于高密度布局的射频模块设计。

应用

该芯片主要应用于以下领域:
  ? 多频段无线通信设备(如Wi-Fi路由器、蓝牙模块、ZigBee设备)
  ? 射频前端模块(RF FEM)
  ? 基站和小型蜂窝基站(Small Cell)
  ? 工业自动化和远程监测系统
  ? 智能手机和平板电脑的射频切换电路
  ? 测试仪器和测量设备中的射频信号路由
  ? 车载通信系统(如V2X、T-BOX)
  ? 物联网(IoT)设备中的多频段天线切换

替代型号

Peregrine PE426420, Skyworks SKY13350-376LF, Qorvo QS21134, NXP BF1156

SM1105-GBB1S-E2推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价