时间：2025/7/4 23:26:57
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LVSL10056A500 是一款高性能的 N 治金氧化物半导体场效应晶体管（N-MOSFET），主要应用于功率转换和开关电路中。该器件采用了先进的制造工艺，具备低导通电阻、高开关速度以及出色的热性能，适合在高效率电源管理系统中使用。
该型号通常用于需要快速开关和低功耗的应用场景，例如 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动和电池保护电路等。其封装形式为 SOT-23 封装，具有小尺寸和高散热效率的特点。
最大漏源电压：50V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：4.8A
导通电阻：5.5mΩ
栅极电荷：6nC
开关时间：ton=12ns, toff=9ns
工作结温范围：-55℃至+150℃
LVSL10056A500 的核心特点是其低导通电阻，仅为 5.5mΩ，这使其能够在高电流应用中保持较低的功耗和发热。
此外，该器件还具备非常低的栅极电荷，仅为 6nC，从而确保了其在高频开关应用中的高效表现。
SOT-23 封装不仅减小了 PCB 空间占用，而且提供了良好的散热性能，适用于紧凑型设计。
由于其较高的工作结温范围（-55℃ 至 +150℃），该 MOSFET 还能在极端温度条件下稳定运行。
该芯片广泛应用于各种电力电子领域，包括但不限于：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动和控制
4. 负载开关
5. 电池保护电路
6. 便携式设备中的电源管理模块
其高性能和小尺寸特点使其成为现代电子产品中不可或缺的关键元件。
LVSL10056A500KTR, LVSL10056A500GTR
