LUWF8DN-SGSI-S 时间：2025/12/28 6:36:35 阅读：17

LUWF8DN-SGSI-S是一款由ONSEMI（安森美）公司生产的表面贴装肖特基势垒二极管阵列，采用先进的半导体工艺制造，专为高频、高效率的整流和信号处理应用设计。该器件封装在紧凑的微型SC-70（SOT-323）封装中，适合对空间要求极为严格的便携式电子设备和高密度PCB布局。LUWF8DN-SGSI-S包含两个独立的肖特基二极管，配置为共阴极结构，使其非常适合用于双通道整流、电压钳位、反向极性保护以及信号解调等电路功能。由于采用了肖特基技术，该器件具备较低的正向导通压降（VF），通常在0.3V至0.5V之间，显著降低了功耗并提高了系统能效。同时，其快速的反向恢复时间使其在开关电源、DC-DC转换器和高频逆变器等应用中表现出色。该器件具有良好的热稳定性和可靠性，工作结温范围可达-55°C至+150°C，适用于工业、消费类及汽车电子等多种环境。LUWF8DN-SGSI-S符合RoHS环保标准，并通过了无卤素认证，支持绿色环保生产流程。

参数

类型：双肖特基二极管阵列
　　配置：共阴极
　　封装：SC-70 (SOT-323)
　　安装类型：表面贴装
　　最大重复反向电压（VRRM）：40V
　　最大直流阻断电压（VR）：40V
　　峰值脉冲电流（IFSM）：0.5A
　　每二极管最大平均整流电流（IO）：200mA
　　正向压降（VF）：典型值0.45V（在200mA条件下）
　　最大反向漏电流（IR）：0.5μA（在25°C，40V下）
　　反向恢复时间（trr）：< 4ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　热阻抗（Junction-to-Ambient, RθJA）：约450°C/W

特性

LUWF8DN-SGSI-S的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术，这种结构通过金属-半导体接触形成整流结，避免了传统PN结中的少数载流子存储效应，从而实现了极快的开关速度和极低的正向压降。这一特性使得该器件在高频开关应用中表现尤为出色，例如在便携式设备的同步整流电路或电池供电系统的能量回收模块中，能够有效降低传导损耗，提升整体电源效率。此外，由于其反向恢复时间极短（小于4ns），几乎不存在反向恢复电荷（Qrr），因此在高速开关过程中不会产生显著的电流尖峰或电磁干扰（EMI），有助于简化滤波电路设计并提高系统稳定性。
　　该器件的双二极管共阴极配置使其在双路输出整流或电压倍压电路中非常实用，例如在低压DC-DC变换器中作为续流二极管使用。每个二极管可承受最高200mA的平均整流电流，满足大多数低功率电源管理需求。其40V的反向耐压能力适用于5V、12V和24V系统，广泛应用于消费类电子产品如智能手机、平板电脑、无线耳机和可穿戴设备中。SC-70封装尺寸小巧（仅约2mm x 1.25mm），便于实现自动化贴片生产，且具有良好的散热性能，确保在紧凑空间内仍能保持可靠运行。
　　在可靠性方面，LUWF8DN-SGSI-S经过严格的质量控制和老化测试，具备出色的抗湿气、抗机械应力和热循环能力。其宽工作温度范围（-55°C至+150°C）使其不仅适用于常规商业环境，也能在严苛的工业或汽车电子环境中稳定工作。此外，器件符合AEC-Q101车规级认证的可能性较高，适用于车载信息娱乐系统、传感器模块或LED照明驱动等应用。整体而言，LUWF8DN-SGSI-S是一款高性能、小尺寸、高可靠性的双肖特基二极管，是现代低功耗、高密度电子设计中的理想选择。

应用

LUWF8DN-SGSI-S广泛应用于各类需要高效、小型化整流解决方案的电子系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品中的电源管理电路，如智能手机和平板电脑的电池充电路径中的防反接与隔离二极管；在DC-DC升压或降压转换器中作为同步整流的辅助二极管，用于续流或箝位功能；在USB接口、Type-C端口的电源路径中提供过压和反向电流保护；也可用于信号解调电路、逻辑电平转换以及高频检波应用。此外，该器件适用于工业传感器模块、IoT设备、无线通信模块和LED驱动电源等低功率场合。由于其优异的高频响应特性，也常被用于射频前端电路中的信号整形与限幅。在汽车电子领域，可用于车身控制模块、仪表盘显示驱动、车载摄像头电源等对空间和效率有高要求的应用场景。