类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：4.0A
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大为23mΩ（在VGS=10V时）
　　功耗（PD）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOP8

LUF8401MN MOSFET具有多个显著特性，使其成为高效电源设计的理想选择。
　　首先，其低导通电阻（RDS(on)）特性显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体效率。这在高电流应用中尤为重要，因为它有助于减少热量的产生并提高系统的稳定性。
　　其次，LUF8401MN采用了SOP8封装，这种封装形式具有较小的体积和较高的热性能，适合在空间受限的设计中使用。同时，这种封装形式也便于自动化生产和焊接。
　　此外，该MOSFET支持高达4A的连续漏极电流，能够满足多种高功率需求的应用场景。其最大漏源电压为30V，适用于中低电压电源管理系统。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的10V驱动电压，同时能够承受最高±20V的栅源电压，从而提高了设计的灵活性和可靠性。
　　最后，LUF8401MN的工作温度范围为-55°C至+150°C，适应了广泛的环境条件，从工业设备到汽车电子系统均能可靠运行。

LUF8401MN MOSFET广泛应用于多种电子设备和系统中，特别是在需要高效功率管理的场景下。其典型应用包括电源管理模块、负载开关、DC-DC转换器、电池供电设备以及各种工业控制电路。在电源管理模块中，该MOSFET可作为主开关元件，实现高效的能量转换。在负载开关设计中，LUF8401MN可以快速控制负载的通断，从而延长电池寿命并减少待机功耗。此外，在DC-DC转换器中，该器件的低导通电阻特性有助于提高转换效率，减少能量损耗。由于其优异的性能和可靠性，LUF8401MN也适用于汽车电子系统，如车载充电器和车身控制模块。

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　　 "TPS27081A",
　　 "FDMS8880",
　　 "SiS432DN"
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