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STF7N52DK3 发布时间 时间:2025/7/22 22:51:31 查看 阅读:11

STF7N52DK3是一款由意法半导体(STMicroelectronics)制造的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于电源管理和功率转换领域。该器件设计用于高效率和高性能的开关应用,具备低导通电阻和高耐压特性,适用于如DC-DC转换器、电源开关、电机控制和电池管理系统等场景。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):520V
  漏极电流(ID):7A(在25°C)
  栅源电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):1.4Ω(最大值)
  功率耗散(PD):65W
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装形式:TO-220FP

特性

STF7N52DK3具有多个优良的电气和物理特性,使其在功率电子应用中表现优异。
  首先,其高耐压能力(520V)使得该器件适用于高电压输入的电源系统,并具备良好的电压稳定性。其次,低导通电阻(最大1.4Ω)显著降低了导通损耗,提高了整体系统效率,同时减少了散热需求,有助于实现紧凑的设计。
  此外,该MOSFET采用了先进的平面工艺技术,提供优异的开关性能和热稳定性,确保在高负载条件下仍能可靠运行。封装形式为TO-220FP,这是一种表面贴装封装,具备良好的散热性能和机械稳定性,适用于自动化生产流程。
  STF7N52DK3还具备良好的抗雪崩能力和过热保护特性,进一步增强了其在严苛工作环境下的可靠性。其栅极驱动电压范围宽泛,支持与多种驱动电路兼容,便于设计和集成。

应用

STF7N52DK3广泛应用于各种电力电子系统中,包括但不限于以下领域:
  1. **电源系统**:如AC-DC适配器、开关电源(SMPS)、DC-DC转换器等,用于高效能的电能转换。
  2. **工业控制**:在工业自动化设备中,用于电机驱动、继电器替代以及负载开关控制。
  3. **照明系统**:作为高亮度LED驱动器中的开关元件,提供稳定高效的电流控制。
  4. **新能源领域**:如太阳能逆变器、储能系统中的电池充放电管理电路等。
  5. **家电产品**:用于家电中的电源管理模块,如空调、洗衣机、冰箱等设备中的高电压功率控制部分。
  该器件的高可靠性和高效能特性使其成为多种中高功率应用的理想选择。

替代型号

STF7N52K3, STF7N52KM5, STF8N52K3

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STF7N52DK3参数

  • 其它有关文件STF7N52DK3 View All Specifications
  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列SuperFREDmesh3™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)525V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.15 欧姆 @ 3A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4.5V @ 50µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs33nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds870pF @ 50V
  • 功率 - 最大25W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装TO-220FP
  • 包装管件
  • 其它名称497-12586-5STF7N52DK3-ND