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LUDZS33BT1G 发布时间 时间:2025/8/14 1:21:14 查看 阅读:24

LUDZS33BT1G是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的稳压二极管(Zener Diode),属于表面贴装型(SOD-323封装)的低压稳压二极管。该器件主要用于电压参考、电压调节以及电路保护等应用场景。其标称稳压电压为3.3V,适用于低电压电源管理需求,例如在数字电路、微处理器供电系统以及便携式电子设备中提供稳定的参考电压。

参数

类型:稳压二极管
  封装类型:SOD-323(表面贴装)
  最大耗散功率:200 mW
  标称稳压电压:3.3 V
  测试电流:5 mA
  动态电阻(Zzt):最大 60 Ω
  漏电流(IR):最大 100 nA(在VR = 1 V时)
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-55°C 至 +150°C
  引脚数:2
  极性:单向

特性

LUDZS33BT1G具备多项优良的电气与物理特性,适用于多种电子系统中的稳压与参考电压需求。首先,其采用SOD-323小型表面贴装封装,体积小巧,适合高密度PCB布局,便于自动化生产与焊接,适用于现代电子设备的小型化趋势。
  其次,该稳压二极管具有较低的稳压电压(3.3V),适用于低压数字电路、微控制器电源监测、电压参考源等应用。其测试电流为5 mA,在该电流下可提供稳定的3.3V电压输出,动态电阻最大为60Ω,确保了在负载变化时仍能保持相对稳定的电压水平。
  此外,LUDZS33BT1G的漏电流非常低(在1V反向电压下最大为100nA),有助于降低在非击穿状态下的功耗,适用于对功耗敏感的便携式设备。其工作温度范围为-55°C至+150°C,适用于各种恶劣工作环境,包括工业控制、汽车电子和消费类电子产品。
  该器件的额定功耗为200mW,能够在小型封装下提供可靠的功率处理能力,确保在典型应用中不会因过热而失效。同时,其双端子结构简化了电路设计与布局,降低了设计复杂度。
  综合来看,LUDZS33BT1G以其小型封装、低压稳压、低漏电流和宽工作温度范围等特性,成为众多低电压稳压与参考应用的理想选择。

应用

LUDZS33BT1G广泛应用于需要稳定3.3V参考电压的电子电路中。典型应用包括:微控制器和数字IC的电源电压参考;低压电源管理系统中的电压调节;电池供电设备中的电压监测电路;DC-DC转换器中的反馈参考;传感器接口电路中的基准电压源;以及通信设备、便携式仪器、工业控制系统和消费类电子产品中的稳压保护电路。

替代型号

LUDZS33BT1G的替代型号包括:MM3Z3V3B、BZT52C-3V3、1N4728A、LDO33G、ZMM3V3、ZD3.3、1N5226B。

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