LUDZS27BT1G 时间：2025/8/14 1:20:50 阅读：27

LUDZS27BT1G 是由 ON Semiconductor 生产的一款双极性晶体管（BJT），属于 NPN 型晶体管。该器件专为通用开关和放大应用设计，适用于各种电子电路，包括电源管理、信号放大和数字逻辑电路。LUDZS27BT1G 采用 SOT-23 封装形式，体积小巧，便于在高密度 PCB 设计中使用。该晶体管具有良好的稳定性和可靠性，能够在较宽的温度范围内正常工作，适合工业级和消费类电子产品的应用。

参数

类型：NPN 双极性晶体管
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vceo）：30 V
　　最大集电极-基极电压（Vcbo）：50 V
　　最大功耗（Pd）：300 mW
　　增益带宽积（fT）：100 MHz
　　电流增益（hFE）：在 2 mA 时典型值为 135（具体分为不同等级）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-23

特性

LUDZS27BT1G 具备一系列优良的电气和物理特性，使其在通用晶体管应用中表现出色。首先，该晶体管的最大集电极电流为 100 mA，适用于中等功率的开关和放大电路。其最大集电极-发射极电压为 30 V，能够满足大多数低压电路的需求。此外，该晶体管具有高达 50 V 的集电极-基极击穿电压，提供了更高的耐压能力。
　　在性能方面，LUDZS27BT1G 的电流增益（hFE）在 2 mA 下典型值为 135，并根据不同的等级提供多个增益范围选择，满足不同电路设计的增益需求。其增益带宽积（fT）为 100 MHz，使其在高频放大和开关应用中表现出色。
　　该晶体管采用 SOT-23 小型封装，具有良好的热性能和机械稳定性，适用于表面贴装技术（SMT），提高了 PCB 的组装效率。此外，LUDZS27BT1G 支持 -55°C 至 +150°C 的工作温度范围，适用于工业级环境，确保在各种条件下都能稳定运行。
　　作为一款通用晶体管，LUDZS27BT1G 还具有较低的成本和广泛的应用兼容性，是许多模拟和数字电路设计中的理想选择。

应用

LUDZS27BT1G 主要应用于各类电子电路中，包括低频放大器、数字开关电路、LED 驱动电路、电源管理模块、传感器接口电路以及各种嵌入式系统。由于其良好的高频性能和稳定的增益特性，该晶体管也常用于音频放大电路和射频前端电路。在工业自动化和消费电子产品中，LUDZS27BT1G 被广泛用于控制继电器、马达、指示灯等负载。此外，其小型 SOT-23 封装使其适用于空间受限的便携式设备，如智能手机、平板电脑和穿戴式电子产品。