LUDZS2.0BT1G 是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的表面贴装型齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压调节和电路保护应用。该器件的齐纳电压为2.0伏,在多种低电压电路中用作基准电压源或电压钳位元件。该器件采用SOD-923封装,适合高密度电路板设计。
类型:齐纳二极管
齐纳电压(Vz):2.0V
容差:±5%
最大齐纳电流(Izmax):100mA
额定功率(Ptot):200mW
封装类型:SOD-923
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
存储温度范围:-55°C ~ +150°C
LUDZS2.0BT1G齐纳二极管具有优异的电压稳定性和低动态阻抗,能够在宽电流范围内保持稳定的齐纳电压。其SOD-923封装体积小巧,适用于空间受限的便携式电子设备设计。此外,该器件的响应速度快,能够在瞬态电压事件中迅速导通,保护后续电路免受过电压损害。
在电气特性方面,LUDZS2.0BT1G具备良好的温度稳定性,其电压温度系数较低,适用于对温度变化敏感的应用场景。该器件的反向漏电流非常小,在未达到齐纳击穿电压时,对电路的干扰极低。同时,其最大工作电流可达100mA,能够满足大多数低功耗电路的稳压需求。
可靠性方面,LUDZS2.0BT1G经过严格的测试和验证,符合工业级可靠性标准,适用于消费电子、通信设备、汽车电子等高要求应用场景。
LUDZS2.0BT1G广泛应用于各种电子设备中,特别是在需要稳定电压源或过电压保护的场合。常见应用包括微控制器单元(MCU)的电压参考源、电池供电设备的稳压电路、模拟信号调节电路中的基准电压、通信接口(如USB、RS-232)的静电放电(ESD)保护等。
由于其低齐纳电压特性,LUDZS2.0BT1G特别适用于3.3V或更低电压供电的数字电路和模拟电路中的电压钳位保护。例如,在传感器信号调理电路中,它可以用来限制输入信号的幅值,防止超出ADC的输入范围。在电池管理系统中,可用于过压检测电路,确保电池充电过程中的安全性。
此外,该器件也可用于电源管理模块中,作为低电压检测电路的一部分,帮助系统在电压异常时进行正确的响应,如关闭负载或触发警报。
LUDZS2.0BT1G的替代型号包括BZX84C2V0、Z-CENER-2.0V、MM3Z2V0、SOD882-2.0V等。这些型号在封装、电压精度和工作电流方面与LUDZS2.0BT1G相近,可根据具体设计要求进行选择替换。