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LUDZS 6.8B T1G 发布时间 时间:2025/8/13 13:25:09 查看 阅读:7

LUDZS 6.8B T1G 是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)制造的齐纳二极管(Zener Diode),其齐纳电压为6.8V。齐纳二极管是一种特殊的二极管,能够在反向击穿区域工作而不损坏,常用于电压调节、参考电压和过压保护电路中。T1G是该型号的封装代码,通常代表其采用SOD-123表面贴装封装,适用于各种电子设备和电路。

参数

类型:齐纳二极管
  齐纳电压(Vz):6.8V
  最大齐纳电流(Iz max):200mA
  功率耗散(Ptot):300mW
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:SOD-123(T1G)
  最大反向漏电流(Ir):5μA(在Vr=1V时)
  测试电流(Izt):5mA

特性

LUDZS 6.8B T1G 齐纳二极管具有多种优良特性,使其在电子电路中广泛应用。首先,它的齐纳电压为6.8V,具有较高的稳定性和精度,能够在广泛的温度和电流变化范围内保持相对稳定的电压输出。这使其非常适合用于电压参考和稳压电路。
  其次,该器件的封装形式为SOD-123(T1G),是一种小型表面贴装封装,适合在高密度PCB设计中使用,具有良好的热性能和机械稳定性。SOD-123封装的尺寸小巧,通常为2.8mm x 1.4mm x 1.1mm,便于自动化生产和空间受限的应用场景。
  该齐纳二极管的最大额定功率为300mW,最大齐纳电流为200mA,能够在较宽的工作电流范围内保持稳定的电压特性。其反向漏电流非常低,在1V反向电压下仅为5μA,这有助于减少电路中的静态功耗和噪声干扰。
  此外,LUDZS 6.8B T1G的工作温度范围为-55°C至+150°C,具有良好的温度稳定性和可靠性,适用于工业级和汽车电子应用。其内部结构采用高质量的硅材料和先进的制造工艺,确保了长期工作的稳定性和耐久性。

应用

LUDZS 6.8B T1G 主要用于需要稳定电压参考或电压调节的电路中。常见应用包括电源管理电路中的电压基准、模拟电路中的偏置电压设置、以及信号调理电路中的限幅和钳位保护。
  在电源管理方面,该齐纳二极管可用于构建简单的并联稳压电路,为低功耗电路提供稳定的电压源。在模拟电路中,它可以作为运算放大器的参考电压源,确保放大电路的偏置点稳定,从而提高电路的精度和线性度。
  在数字电路中,LUDZS 6.8B T1G 可用于保护敏感的输入/输出引脚免受静电放电(ESD)和过压瞬变的影响。例如,在USB接口、GPIO引脚和ADC输入端,该器件可以有效地吸收瞬态过电压,防止损坏后续电路。
  此外,它也广泛应用于传感器电路中,作为温度补偿电路的一部分,确保测量结果的准确性。由于其良好的温度稳定性和低漏电流特性,该齐纳二极管也非常适合用于电池供电设备、便携式电子产品和汽车电子系统。

替代型号

LUDZS 6.8B T1G 的替代型号包括 BZX84C6V8、MMSZ5235B、LZ4SM68AT1G 等。这些型号同样提供6.8V的齐纳电压,并采用类似的SOD-123或SOT-23封装,适用于相同的电路应用场景。在选择替代型号时,需注意其最大额定功率、工作温度范围和封装尺寸是否符合具体设计要求。

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