KTC4378-GR-RTF/P 时间：2025/9/11 13:20:40 阅读：23

KTC4378-GR-RTF/P 是一款由 KEC（韩国电子部件公司）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于电源管理和开关电路中。该器件具有高效率、低导通电阻和快速开关速度等优点，适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、马达控制等应用场合。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：20V
　　漏极电流（ID）：120A（最大）
　　导通电阻（RDS(on)）：5.3mΩ（最大）
　　功率耗散（PD）：134W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

特性

KTC4378-GR-RTF/P 的核心特性之一是其低导通电阻（RDS(on)），这使得在高电流条件下导通损耗显著降低，提高了系统的整体效率。
　　此外，该器件具有较高的最大漏极电流能力（120A），适用于需要大电流负载的应用，如电源管理、DC-DC 转换器和电机驱动器。
　　其快速开关特性也有助于减少开关损耗，从而提高电源系统的响应速度和效率。
　　该 MOSFET 采用 TO-252（DPAK）封装，具备良好的散热性能，适用于表面贴装工艺，提高了装配效率和可靠性。
　　此外，KTC4378-GR-RTF/P 的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的 10V 和 4.5V 驱动条件，兼容多种控制电路设计。

应用

KTC4378-GR-RTF/P 广泛应用于各类电子设备中的功率管理与开关控制电路。典型应用包括同步整流式 DC-DC 转换器、负载开关电路、电机控制模块、电池管理系统（BMS）以及服务器和通信设备的电源模块。
　　在同步整流器中，该 MOSFET 可以替代传统的肖特基二极管，显著提高转换效率并降低发热。
　　在负载开关电路中，它可用于控制电源通断，实现节能和过载保护功能。
　　此外，该器件在电动工具、电动自行车、不间断电源（UPS）等消费类和工业类产品中也得到了广泛应用。