LU120N 时间：2025/6/24 8:37:44 阅读：19

LU120N是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于多种功率转换和开关应用。该器件通常用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及其他需要高效功率管理的场合。LU120N具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，能够有效降低功耗并提升系统效率。

参数

类型：N沟道 MOSFET
　　最大漏源电压：120V
　　最大连续漏电流：60A
　　导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ
　　栅极电荷：85nC
　　输入电容：3500pF
　　总功耗：220W
　　工作温度范围：-55℃至175℃

特性

LU120N具备以下显著特性：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可显著减少传导损耗。
　　2. 高速开关能力，适合高频应用。
　　3. 优异的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行。
　　4. 强大的浪涌电流承受能力，确保在恶劣条件下正常工作。
　　5. 小型封装选项，节省PCB空间并简化设计布局。
　　6. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。

应用

LU120N广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
　　2. DC-DC转换器的核心元件。
　　3. 电机驱动电路中的功率级组件。
　　4. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率转换模块。
　　5. 工业自动化设备中的负载开关和保护电路。
　　6. 电动车和混合动力汽车的动力系统及辅助电子控制单元。