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IRL5602S 发布时间 时间:2025/6/24 3:35:55 查看 阅读:7

IRL5602S是英飞凌(Infineon)公司生产的一款N沟道逻辑电平增强型功率MOSFET。该器件采用了先进的Trench技术,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合用于各种需要高效能、快速响应的应用场景。其封装形式为SO-8(PowerPAK SO-8),适用于表面贴装工艺,广泛应用于开关电源、电机驱动、负载切换等领域。

参数

最大漏源电压:60V
  最大连续漏电流:43A
  最大栅极电压:±20V
  导通电阻(Rds(on)):1.4mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  栅极电荷:10nC(典型值)
  总电容(Ciss):2900pF
  功耗:270W
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

IRL5602S具备非常低的导通电阻,这使得其在高电流应用中能够显著降低功率损耗,提高整体效率。同时,该器件的栅极电荷较低,有助于实现更快的开关速度,减少开关损耗。此外,由于其采用SO-8封装,具有良好的散热性能,并且与标准表面贴装设备兼容,便于大规模生产。
  IRL5602S还具备较高的工作温度范围,可以在极端环境下稳定运行,满足工业级和汽车级应用的要求。其强大的过流能力和耐压能力,也使其非常适合用作大功率开关元件。

应用

IRL5602S主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流
  2. 直流-直流转换器
  3. 电机驱动电路
  4. 负载切换和保护电路
  5. 工业自动化设备
  6. 汽车电子系统
  7. 大功率LED驱动电路
  由于其出色的电气特性和可靠性,IRL5602S成为许多高性能功率管理系统的首选元件。

替代型号

IRLB8748PBF, IRLB8727PBF, IRLZ44N

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IRL5602S参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C24A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C42 毫欧 @ 12A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs44nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1460pF @ 15V
  • 功率 - 最大75W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装管件
  • 其它名称*IRL5602SQ803261