时间：2025/5/8 12:08:14
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LTZZ0500FT-TAM1 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率晶体管，专为高频和高效率应用而设计。该器件采用了先进的封装工艺，确保了在高频开关条件下具备卓越的热性能和电气性能。
这款晶体管适用于高功率密度的设计场景，如开关电源、DC-DC转换器、无线充电系统等。其高开关速度和低导通电阻特性能够显著提升系统的整体效率。
型号：LTZZ0500FT-TAM1
类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：43A
导通电阻：40mΩ（典型值）
栅极电荷：9nC（典型值）
开关频率：高达5MHz
工作温度范围：-55°C至+150°C
1. 高效氮化镓技术，支持高频操作和高功率密度设计。
2. 超低导通电阻和栅极电荷，有助于降低开关损耗。
3. 内置保护功能，包括过流保护和过温保护，提高系统可靠性。
4. 先进的封装形式，优化了散热性能和电磁兼容性。
5. 出色的热稳定性，能够在高温环境下保持稳定的性能输出。
6. 符合RoHS标准，环保且适合多种工业应用场景。
1. 开关电源（SMPS）设计中的主开关或同步整流器。
2. 高效DC-DC转换器，特别是在电信和服务器电源领域。
3. 无线充电系统中的功率传输模块。
4. LED驱动电路中用于实现高效的功率控制。
5. 太阳能逆变器以及其他可再生能源相关的电力转换设备。
6. 汽车电子系统中的高频功率转换应用。
LTCZ0500FT-TAM1
GZT0500FT-TAM1
