类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：35V
　　最大漏极电流（Id）：8A
　　导通电阻（Rds(on)）：约23mΩ（在Vgs=10V时）
　　栅极电荷（Qg）：17nC
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：SOP（表面贴装封装）
　　功耗（Pd）：45W

TZP8G35是一款专为高效率功率转换设计的MOSFET器件。其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件具有较高的电流处理能力，支持高达8A的漏极电流，适用于需要较高功率输出的应用。TZP8G35采用了先进的硅技术，确保了在高频开关条件下的稳定性和可靠性。
　　此外，TZP8G35具备良好的热性能，能够在高温环境下稳定工作，适用于紧凑型设计和高密度电源模块。其SOP封装形式便于自动化生产，提高了PCB布局的灵活性。该器件还具备良好的抗冲击能力和较高的耐用性，适合用于各种工业、消费电子和通信设备。
　　值得一提的是，TZP8G35具有较低的栅极电荷（Qg），有助于减少开关损耗，提高开关速度。这一特性使其在高频开关应用中表现出色，能够有效提升整体系统性能。同时，该器件的导通电阻随温度变化较小，保证了在不同工作条件下的稳定表现。

TZP8G35广泛应用于各类功率电子设备中，尤其是在DC-DC转换器、同步整流器和负载开关等电路中表现出色。它也常用于电源管理模块、电池供电设备、LED驱动器和电机控制电路中。此外，该器件适用于高性能计算设备、通信设备和工业自动化系统，提供高效、可靠的功率控制解决方案。由于其优异的高频特性，TZP8G35也可用于射频功率放大器和无线充电系统中。

TPH3R30ANL, IPB08N35N3, FDS4410, Si4410BDY