LTVS2018H12T5G是一款高性能的光耦合器,专为需要高隔离电压和高速传输的应用设计。该器件采用GaAs红外发光二极管和硅光电晶体管组成,确保了信号在电气隔离环境下的稳定传输。
其主要特点包括高共模抑制能力、长使用寿命和良好的温度稳定性,适用于工业控制、通信设备及电力电子等领域的信号隔离与传输。
型号:LTVS2018H12T5G
制造商:Lite-On Technology Corporation
封装类型:SO-16
工作温度范围:-40°C 至 +110°C
存储温度范围:-55°C 至 +150°C
输入电流(IF):10mA
输出集电极电流(IC):50mA
最小CTR(电流传输比):30%
最大传播延迟时间:1μs
隔离电压:5000Vrms
上升时间:0.2μs
下降时间:0.2μs
LTVS2018H12T5G具有高共模抑制比和低噪声性能,使其非常适合用于要求严格电磁干扰环境下工作的应用。它还具备非常短的传输延迟时间,确保数据能够以更高的速度进行准确传递。
此外,该光耦内置有过压保护功能,可以有效防止由于瞬态电压尖峰引起的损坏。其卓越的热稳定性和长时间工作的可靠性也使其成为许多高端应用的理想选择。
从结构上看,这款光耦使用了加强型绝缘材料,并且进行了优化设计以减少寄生电容效应,从而提高了整体效率和耐用性。这些特点共同构成了一个既强大又灵活的产品解决方案,满足不同行业对隔离器件的需求。
LTVS2018H12T5G广泛应用于各类需要信号隔离的场景,例如工业自动化控制系统中的传感器接口、电机驱动电路、开关电源以及变频器等。
在医疗设备领域,该光耦被用于患者监护仪、超声波诊断装置和其他关键仪器中,以保证患者安全并提供可靠的数据传输。
另外,在通信基础设施建设方面,如光纤收发模块、网络交换机和路由器内,也会用到此类高性能光耦来实现不同电压域之间的信息交换。
总之,任何涉及到强电弱电混合、多路信号处理或远程监控操作的场合,都可以考虑选用LTVS2018H12T5G作为理想的隔离组件。
LTVS2018H12T3G
LTVS2018H12T4G