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LTV852M 发布时间 时间:2025/9/5 22:58:37 查看 阅读:5

LTV852M 是一款由 LITE-ON(光宝科技)生产的光耦合器(光电耦合器),属于高速光耦系列。该器件内部由一个红外发光二极管(LED)和一个高速光敏晶体管组成,用于实现输入和输出电路之间的电气隔离。LTV852M 以其较高的传输速度、良好的隔离性能和较长的使用寿命被广泛应用于工业控制、电源转换、通信设备等领域。

参数

类型:高速光耦
  正向电压(VF):1.2V @ 10mA
  集电极电流(IC):50mA
  集电极-发射极电压(VCEO):30V
  工作温度范围:-55°C 至 +125°C
  封装类型:DIP-4
  绝缘电压:5000 VRMS
  响应时间:约3μs(典型值)
  电流传输比(CTR):50% ~ 600% @ IF=5mA, VCE=5V
  封装材料:符合RoHS标准

特性

LTV852M 光耦合器具有多项显著的技术特性,适用于多种电子系统设计。其高速响应时间(约3微秒)使其非常适合用于需要快速信号传输的应用,例如脉冲宽度调制(PWM)控制和数字隔离电路。该器件的电流传输比(CTR)范围较宽,从50%到600%,这意味着其在不同驱动电流下仍能保持良好的信号传输性能,从而提高了设计的灵活性。
  该光耦的集电极-发射极电压为30V,允许其在较高电压环境下工作,而不会发生击穿或性能下降。同时,LTV852M 的最大集电极电流可达50mA,适用于中等功率信号控制。其封装形式为DIP-4,适用于标准的通孔插装工艺,便于在PCB上安装和维护。
  在电气隔离方面,LTV852M 提供了高达5000 VRMS的绝缘电压等级,确保输入与输出电路之间具有良好的电隔离能力,能够有效防止高压干扰和接地环路问题,从而提高系统的安全性和稳定性。此外,该器件的工作温度范围为-55°C至+125°C,具有良好的耐温性能,适合在工业级环境中使用。
  LTV852M 还具备良好的抗电磁干扰(EMI)能力,能够在复杂电磁环境中保持稳定工作。其内部采用高可靠性LED和光敏晶体管结构,确保长期使用的稳定性和寿命。

应用

LTV852M 主要用于需要电气隔离的场合,广泛应用于各类电子控制系统中。在工业自动化领域,它常用于PLC(可编程逻辑控制器)、工业传感器、继电器驱动电路和电机控制模块中,作为信号隔离与传输的关键元件。
  在电源管理系统中,LTV852M 被用于开关电源、DC/DC转换器和AC/DC电源适配器中的反馈控制电路,以实现初级与次级之间的信号隔离,提高系统的稳定性和安全性。此外,在UPS(不间断电源)和电池管理系统中,该光耦也常用于电压检测和信号传输。
  在通信设备领域,LTV852M 用于隔离数字信号,防止地电位差导致的通信干扰,常见于RS-485、CAN总线等通信接口电路中。此外,在智能电表、家电控制板和安防系统中,该器件也广泛用于信号隔离与安全保护。
  由于其良好的电气特性和稳定性,LTV852M 还被广泛应用于医疗电子设备中,如心电图机、监护仪等,用于实现患者与设备之间的安全隔离。

替代型号

TLP521-1, PC817, EL817, SFH6106-1

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