类型：光耦合器（光电晶体管输出）
　　电流传输比（CTR）：20% - 400%
　　正向电压（VF）：1.2 V（典型值）
　　集电极-发射极电压（VCEO）：30 V
　　功耗（PD）：100 mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +100°C
　　封装类型：DIP-6
　　隔离电压：5000 VRMS

LTV4N35M 光耦合器具有多项优良特性，适用于各种隔离和信号传输场合。
　　首先，其核心结构由一个砷化镓红外发光二极管（GaAs IR LED）和一个硅光电晶体管组成，能够实现高效的光电转换和信号隔离。LED在输入端接收电信号后发出红外光，光电晶体管根据光强变化控制输出端的电流，从而实现输入与输出之间的电隔离。
　　其次，LTV4N35M 的电流传输比（CTR）范围较宽，通常在20%到400%之间，这使得它在不同驱动电流下都能保持良好的信号传输性能。CTR 的变化范围也意味着该器件适用于多种应用场景，包括低功耗设计和高灵敏度检测电路。
　　该器件的集电极-发射极最大耐压（VCEO）为30 V，能够承受较高的电压应力，适用于中高压控制电路。其最大正向电压为1.2 V，输入端驱动电流一般在5 mA至20 mA范围内即可正常工作，兼容TTL和CMOS逻辑电平。
　　LTV4N35M 的封装为DIP-6，符合RoHS环保标准，便于在印刷电路板（PCB）上安装使用。其隔离电压高达5000 VRMS，提供了良好的安全性和抗干扰能力，适用于医疗设备、工业自动化、电力监控等对安全性要求较高的系统。
　　此外，LTV4N35M 具有良好的温度稳定性，工作温度范围为-55°C至+100°C，适用于高温和低温环境下的稳定运行。

LTV4N35M 光耦合器广泛应用于需要电气隔离和信号传输的电子系统中。
　　在工业自动化控制系统中，该器件常用于PLC（可编程逻辑控制器）、传感器信号隔离、继电器驱动和电机控制电路中，确保高电压侧与低压控制侧之间的电气隔离，防止干扰和损坏。
　　在电源管理领域，LTV4N35M 可用于开关电源、DC-DC转换器、AC-DC适配器中的反馈控制电路，通过隔离初级与次级电路来提高系统的安全性和稳定性。
　　此外，LTV4N35M 还常用于通信设备、仪表仪器、医疗设备和家用电器中的信号隔离，例如在医疗设备中用于隔离患者接触部分与主控电路，以满足IEC 60601等安全标准。
　　由于其宽CTR范围和良好的线性特性，LTV4N35M 也可用于模拟信号隔离电路中，如音频信号隔离、传感器模拟信号传输等。
　　总之，LTV4N35M 凭借其高隔离电压、宽CTR范围、良好的温度稳定性和DIP封装的易用性，成为众多电子系统中理想的光耦合器解决方案。

4N35, PC817, LTV817, HCPL-2630