LTT673-R2-3-20 时间：2025/12/28 6:52:48 阅读：18

LTT673-R2-3-20是一款由Littelfuse公司生产的表面贴装（SMD）瞬态抑制二极管阵列（TVS Array），专为保护敏感电子电路免受静电放电（ESD）、电气快速瞬变（EFT）和其他瞬态电压事件的损害而设计。该器件采用紧凑的微型封装，适用于高密度印刷电路板布局，并广泛应用于便携式消费类电子产品、通信接口和数据线路保护中。LTT673-R2-3-20集成了多个TVS二极管单元，能够同时保护多条信号线，提供低电容特性以确保高速信号完整性，同时具备快速响应时间和高脉冲功率承受能力。该器件符合RoHS和无卤素要求，适合现代绿色电子产品制造标准。其设计目标是为USB、HDMI、DisplayPort、SIM卡接口、音频线路等高速或低电压信号线路提供可靠的过压保护解决方案。

参数

型号：LTT673-R2-3-20
　　制造商：Littelfuse
　　封装类型：SMD, 10-pin micro package
　　通道数：3
　　工作电压（VRWM）：2.3V
　　击穿电压（VBR）：min 2.6V, typ 2.8V
　　钳位电压（VC）：最大9V（在IPP = 1A条件下）
　　峰值脉冲电流（IPP）：1A（8/20μs波形）
　　寄生电容（Cj）：每线最大0.4pF
　　极性：双向
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C

特性

LTT673-R2-3-20具备卓越的瞬态电压抑制性能，特别适用于对信号完整性要求极高的高速数据接口保护。其核心特性之一是极低的结电容，典型值仅为0.4pF，这使得该器件能够在不影响信号质量的前提下有效滤除高频瞬态噪声，适用于USB 3.0、HDMI 2.0等高速差分信号线路。由于采用了先进的硅芯片工艺，该TVS阵列具有非常快的响应时间，通常在皮秒级别，能够在纳秒级的ESD事件发生前迅速导通并将瞬态能量泄放到地，从而保护后端CMOS集成电路免受损坏。
　　该器件采用双向极性设计，意味着它可以应对正负两个方向的瞬态过压事件，非常适合用于交流耦合或双极性信号传输线路。这种设计避免了因极性接反而导致保护失效的风险，增强了系统的可靠性。此外，LTT673-R2-3-20的关态漏电流极低，在正常工作电压下几乎不消耗额外功耗，这对于电池供电设备如智能手机、平板电脑和可穿戴设备尤为重要。
　　从结构上看，LTT673-R2-3-20内部集成了三条独立的TVS保护支路，每条支路由一个PN结构成，形成三个独立的保护通道，可用于保护三条独立的信号线或一组差分对加一条单端信号线。其SMD封装支持自动化贴片生产，具有良好的热稳定性和机械强度。器件符合IEC 61000-4-2 Level 4（±15kV空气放电，±8kV接触放电）等国际电磁兼容标准，确保在严苛的电磁环境中仍能提供可靠保护。整体而言，LTT673-R2-3-20是一款高性能、小型化、低电容的ESD保护解决方案，适用于现代高集成度电子系统中的关键信号接口防护。

应用

LTT673-R2-3-20主要用于各类需要高等级静电放电保护的电子设备中，尤其是在便携式消费电子产品中表现突出。它常被应用于智能手机和平板电脑中的高速接口保护，例如USB Type-C、microSD卡槽、SIM卡接口以及耳机插孔等位置，防止用户插拔操作时引入的静电对主控芯片造成损伤。此外，在笔记本电脑和显示器中，该器件可用于HDMI、DisplayPort或LVDS视频信号线路的ESD防护，保障图像传输的稳定性与可靠性。
　　在工业控制和通信设备中，LTT673-R2-3-20也可用于保护RS-485、CAN总线、I2C、SPI等低速但关键的数据通信接口，防止现场环境中的电气噪声和瞬态干扰影响系统运行。由于其具备宽工作温度范围和高可靠性，该器件同样适用于汽车电子系统中的信息娱乐接口或传感器信号调理电路。
　　另外，医疗电子设备中对信号完整性和安全性要求极高，LTT673-R2-3-20凭借其低电容和快速响应特性，也被用于便携式监护仪、血糖仪等设备的数据端口保护。总之，任何存在ESD风险且需要保持高速信号完整性的应用场景，都是LTT673-R2-3-20的理想使用领域。