类型：电压基准芯片
　　输出电压：2.5V 或 5V（具体型号决定）
　　初始精度：±0.1%（典型值）
　　温度漂移：5ppm/℃（典型值）
　　工作温度范围：-40℃ 至 +85℃
　　电源电压范围：2.7V 至 12V
　　静态电流：100μA（典型值）
　　封装形式：SOT23-5、TO-92、SOIC-8 等

LTS6660E采用了CMOS工艺，具备极低的温度漂移系数，确保在不同温度环境下仍能保持稳定的输出电压。其高初始精度和低长期漂移特性使其非常适合对精度要求极高的应用场景。此外，该芯片的静态电流非常低，适用于电池供电设备和低功耗系统。LTS6660E还具备良好的负载调整率和线性调整率，能够在输入电压或负载变化时维持稳定的输出。其内部结构具备过热保护功能，提高了芯片在严苛环境下的可靠性。
　　该芯片的一个显著优势是其宽泛的输入电压范围，允许其在多种电源条件下稳定工作，提高了设计的灵活性。同时，LTS6660E的输出电压具有较高的驱动能力，能够为外部电路提供稳定的参考电压而不会因负载变化产生显著误差。此外，该芯片在设计上具有良好的噪声抑制能力，确保输出电压干净稳定，适用于高精度模拟电路。

LTS6660E广泛应用于需要高精度电压参考的各种电子系统中，包括数据采集系统、工业自动化仪表、医疗设备、便携式测量仪器、精密ADC/DAC模块、电池管理系统（BMS）、电源管理电路等。其低功耗特性也使其适用于无线传感器网络和物联网设备中的参考电压源。此外，该芯片还可用于校准仪器、温度测量系统、压力传感器、精密放大器电路等对电压稳定性要求极高的场合。

LM385、LM4040、MAX6001、TL431、LT1461