时间：2025/6/4 1:22:28
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VN808CM 是一款 N 沟道功率 MOSFET，主要应用于高效率开关电源、电机驱动以及 DC-DC 转换等场景。该器件采用先进的制造工艺，在导通电阻和开关性能上表现出色，能够满足多种工业及消费类电子应用需求。
该芯片具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力，同时具备良好的热稳定性和可靠性，适用于需要高效能与低功耗的应用场合。
型号：VN808CM
类型：N 沟道功率 MOSFET
Vds（漏源电压）：60V
Rds(on)（导通电阻）：8mΩ（典型值，Vgs=10V）
Id（连续漏极电流）：75A
Vgs（栅源电压）：±20V
封装形式：TO-220
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
结温：175°C
VN808CM 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 可显著降低功率损耗，提升整体效率。
2. 高电流承载能力使其能够在大功率应用中表现优异。
3. 具备快速开关速度，适合高频开关电源设计。
4. 优化的热性能设计可以提高系统的散热效果。
5. 宽泛的工作温度范围保证了其在极端环境下的可靠运行。
6. 提供过流保护和短路保护功能，增强了系统的安全性。
7. 封装形式为 TO-220，易于安装并具备良好的机械强度。
这些特点使得 VN808CM 成为众多高功率密度应用的理想选择。
VN808CM 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 AC-DC 转换器。
2. 各类电机驱动电路，如直流无刷电机 (BLDC) 控制。
3. DC-DC 转换模块中的同步整流。
4. 工业自动化设备中的功率控制。
5. LED 驱动器和汽车电子系统。
6. 电池管理系统 (BMS) 中的充放电管理。
由于其出色的电气性能和可靠性，VN808CM 在多个行业中都得到了广泛应用。
VN806CM, IRF840, STP75NF06
