类型：N沟道
　　漏源电压（VDS）：60V
　　漏极电流（ID）：105A（在25°C）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2.0V~4.0V
　　导通电阻（RDS(on)）：5.5mΩ（最大值）
　　封装类型：TO-220
　　工作温度范围：-55°C~175°C

LTP105N06A 具有出色的导通和开关性能，主要得益于其先进的沟槽式MOSFET结构设计。其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，从而提高整体系统效率。此外，该MOSFET具备较高的电流承载能力，在高负载条件下仍能保持良好的稳定性。
　　该器件采用TO-220封装，具有良好的散热性能，适用于需要高功率密度的设计。其宽泛的工作温度范围（-55°C至175°C）使其能够在严苛的环境条件下稳定运行。LTP105N06A的栅极驱动电压较低，支持与常见的逻辑电平控制器直接连接，简化了驱动电路设计。
　　另外，该MOSFET具有出色的抗雪崩能力，增强了器件在高压瞬态条件下的可靠性。其封装设计符合RoHS环保标准，适用于绿色电子产品的开发。

LTP105N06A 主要用于各类功率电子系统中，包括但不限于：开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、电机控制电路、负载开关、电源管理模块以及工业自动化控制系统等。
　　由于其高电流能力和低导通电阻，该器件在大功率应用中表现出色，如电动工具、储能系统和电动汽车的功率控制模块。同时，其快速开关特性也适用于高频电源变换器的设计，从而实现更高的功率密度和效率。

Si7396DP, IRF1010EZ, FDP105N06A, IPP105N06N G, STP105N6F6