类型：P 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：-20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：-3.6A
　　导通电阻（RDS(on)）：58mΩ @ VGS = -4.5V，110mΩ @ VGS = -2.5V
　　功率耗散：1.0W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：TSMT6（热增强型）

LTL911A13YKS 是一款高性能的 P 沟道 MOSFET，具备低导通电阻和优异的热稳定性，使其在高效率电源管理应用中表现出色。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，从而在保持小型封装的同时实现更低的 RDS(on) 值。其热增强型封装有助于提高散热效率，从而在高负载条件下仍能保持稳定运行。LTL911A13YKS 还具有较快的开关速度，适用于需要高频操作的电源转换电路。此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽，可在 2.5V 至 4.5V 之间有效工作，适用于多种控制器和驱动器配置。其高可靠性和宽工作温度范围也使其适用于汽车电子、工业控制和便携式电子设备等严苛环境下的应用。
　　该 MOSFET 的封装设计便于表面贴装，有助于提高 PCB 布局的灵活性并减少空间占用。此外，该器件符合 RoHS 环保标准，适用于无铅焊接工艺，符合现代电子产品对环保性能的要求。

LTL911A13YKS 主要应用于便携式设备的电源管理、DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统以及汽车电子控制模块等场景。由于其具备低导通电阻和良好的热管理性能，因此特别适用于要求高效能和高可靠性的嵌入式系统和工业自动化设备。

Si4435BDY, TPC8103, AO4406A