时间：2025/6/20 21:55:20
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GJM1555C1HR30CB01J是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要用于电源管理、电机驱动和开关应用。该器件采用先进的半导体制造工艺，具备低导通电阻和高效率的特点，广泛应用于消费电子、工业控制以及汽车电子领域。
型号：GJM1555C1HR30CB01J
类型：N-Channel MOSFET
漏源极电压(Vds)：60V
栅源极电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：48A
导通电阻(Rds(on))：3.5mΩ
功耗(PD)：170W
结温范围(Tj)：-55°C to 175°C
封装形式：TO-247-3
工作温度范围：-55°C to 150°C
GJM1555C1HR30CB01J具有非常低的导通电阻，这使其在大电流应用中能够保持较高的效率和较低的发热。
此外，该器件还具备快速开关速度和低栅极电荷，适合高频开关应用。
其耐热性能优越，能够在极端温度条件下可靠运行，适用于对温度要求苛刻的场景。
同时，其坚固的设计提供了出色的耐用性和抗浪涌能力，非常适合用于严苛环境中的电力转换系统。
GJM1555C1HR30CB01J主要应用于以下领域：
- 开关电源(SMPS)
- DC/DC转换器
- 电动工具和家用电器的电机驱动
- 汽车电子中的启动停止系统和负载突降保护
- 工业自动化设备中的功率控制
- 光伏逆变器中的功率调节模块
- 不间断电源(UPS)系统中的关键组件
GJM1555C1HR30CB02K, IRF540N, FDP5500NL
