工作电压：5V DC
　　集电极-发射极电压（Vce）：30V
　　最大正向电流（If）：20mA
　　最大功耗：100mW
　　电流传输比（CTR）：50%-600%
　　响应时间：3μs
　　工作温度范围：-55°C至+125°C
　　封装类型：DIP-4

LTL3H36SDS-K具有优异的电气隔离性能，能够在高噪声或高电压环境中稳定工作，确保信号传输的稳定性。其宽广的电流传输比（CTR）范围使其适用于多种不同的电路设计需求。该器件的响应时间较短，适合用于中高速信号传输应用。LTL3H36SDS-K的DIP-4封装形式便于安装在印刷电路板上，适用于自动化装配流程。此外，该光耦具有良好的温度稳定性和较长的使用寿命，能够在恶劣的工业环境中保持可靠运行。
　　LTL3H36SDS-K采用了红外发光二极管和硅光电晶体管组合的技术，使其在较低的输入电流下仍能提供稳定的输出信号。这种特性使其在低功耗应用中表现优异，尤其适用于需要节能设计的设备。此外，该光耦的封装材料符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，适用于绿色环保电子产品设计。

LTL3H36SDS-K广泛应用于工业自动化控制系统中，如PLC（可编程逻辑控制器）、继电器驱动电路、电机控制电路等，用于实现控制信号与负载之间的电气隔离。在通信设备中，该光耦可用于隔离不同电压域的信号，保护后端电路免受高压干扰。在消费类电子产品中，LTL3H36SDS-K可用于电源管理、信号隔离以及开关控制等场景。此外，该器件还可用于医疗设备、测试仪器、安防系统等领域，提供安全可靠的信号传输解决方案。

EL3H7-G, PC817X, TLP521-1, CNY17-2, 4N35